[发明专利]用Y2BaCuO5为基体材料制备单畴钇钡铜氧超导块材的方法有效

专利信息
申请号: 201410217403.1 申请日: 2014-05-22
公开(公告)号: CN103979951A 公开(公告)日: 2014-08-13
发明(设计)人: 李国政;邓建华;董磊 申请(专利权)人: 天津师范大学
主分类号: C04B35/45 分类号: C04B35/45;C04B35/622
代理公司: 天津市杰盈专利代理有限公司 12207 代理人: 朱红星
地址: 300387 *** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: sub bacuo 基体 材料 制备 单畴钇钡铜氧 超导 方法
【权利要求书】:

1.一种用Y2BaCuO5为基体材料制备单畴钇钡铜氧超导块材的方法,其特征在于它由下述步骤组成:

(1)配制Y2BaCuO5前驱粉:

将Y2O3与BaO、CuO初始粉按摩尔比为1:1:1的比例混合均匀,用固相反应法制成Y2BaCuO5前驱粉;

(2)配制液相源粉:

将BaO、CuO初始粉按摩尔比为3:5的比例混合均匀,制成名义组分为Ba3Cu5O8的混合粉;再将Ba3Cu5O8混合粉与Y2BaCuO5前驱粉按质量比为1:0.1~0.2混合均匀,作为液相源粉;

(3)压制前驱块:

取Y2BaCuO5前驱粉放入圆柱型模具1中,压制成Y2BaCuO5固相块;取液相源粉放入圆柱型模具2中,压制成液相源块;其中所用Y2BaCuO5前驱粉与液相源粉的质量比为1:1.25~1.75,圆柱型模具2的直径为比圆柱型模具1大4~14 mm;再取Y2BaCuO5前驱粉放入圆柱型模具2中,压制成厚约2 mm的薄片,作为支撑块;

(4)装配前驱块:

将Y2BaCuO5固相块、液相源块自上而下依次同轴放置在支撑块正上方,将一块钕钡铜氧籽晶置于Y2BaCuO5固相块的上表面中心位置,完成前驱块的装配;

(5)熔渗生长单畴钇钡铜氧块材:

将装配好的前驱块放在Al2O3垫片上,中间隔以3~5个等高的MgO单晶粒,然后整体放入井式炉中,以每小时80~120℃的升温速率升温至1040~1050℃,保温0.5~2小时;以每小时60℃的降温速率降温至1000~1010℃,再以每小时0.1~0.5℃的降温速率慢冷至980~990℃,随炉自然冷却至室温,得到单畴钇钡铜氧块材;

(6)渗氧处理:

将单畴钇钡铜氧块材放入石英管式炉中,在流通氧气气氛中,450~400℃的温区中慢冷200小时,得到单畴钇钡铜氧超导块材。

2.权利要求1所述的用Y2BaCuO5为基体材料制备单畴钇钡铜氧超导块材的方法,其特征在于:在配制液相源粉步骤(2)中,将Ba3Cu5O8混合粉与Y2BaCuO5前驱粉按质量比为1:0.15混合均匀,作为液相源粉;在压制前驱块步骤(3)中,所用Y2BaCuO5前驱粉与液相源粉的质量比为1:1.5,圆柱型模具2的直径为比圆柱型模具1大10 mm;在熔渗生长单畴钇钡铜氧块材步骤(5)中,将装配好的前驱块放在Al2O3垫片上,中间隔以4个等高的MgO单晶粒,然后整体放入井式炉中,以每小时100℃的升温速率升温至1045℃,保温1小时;以每小时60℃的降温速率降温至1005℃,再以每小时0.25℃的降温速率慢冷至985℃,随炉自然冷却至室温,得到单畴钇钡铜氧块材。

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