[发明专利]一种自对准双层图形的形成方法有效
| 申请号： | 201410217722.2 | 申请日： | 2014-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN103972056B | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 崇二敏;黄君 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吴世华,林彦之 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 对准 双层 图形 形成 方法 | ||
1.一种自对准双层图形的形成方法，其特征在于，包括：
步骤S01：提供一半导体衬底，且在所述半导体衬底上依次形成有氧化硅层、多晶硅层、氧化硅层、底部抗反射层和光刻胶层，并对所述光刻胶层进行曝光显影；
步骤S02：通过刻蚀工艺依次对所述底部抗反射层和氧化硅层进行刻蚀，直到暴露出所述多晶硅层上表面和氧化硅层的顶部表面，以形成氧化硅核心图形；
步骤S03：在所述氧化硅核心图形顶部、侧壁表面以及多晶硅层上表面形成氮化硅层；其中，通过原子层沉积工艺沉积氮化硅层，并通入富含硅前驱体，以避免在沉积过程中核心图形形貌发生变化；
步骤S04：去除所述氧化硅核心图形顶部表面的氮化硅层，以及所述多晶硅层上表面的氮化硅层，以形成氮化硅侧墙；其中，去除工艺是采用等离子干法刻蚀工艺，对所述氮化硅层进行回刻蚀，使所述氮化硅侧墙的顶部与氧化硅核心图形顶部平齐，所述氮化硅侧墙的底部与多晶硅层的上表面平齐，形成与待刻蚀材料层垂直的侧墙；
步骤S05：去除所述氧化硅核心图形，并以所述氮化硅侧墙为阻挡层对多晶硅层以及氧化硅层进行刻蚀；
步骤S06：去除顶部氮化硅侧墙，形成自对准双层图形。
2.根据权利要求1所述的自对准双层图形的形成方法，其特征在于，所述步骤S02中的刻蚀工艺采用等离子干法刻蚀工艺。
3.根据权利要求2所述的自对准双层图形的形成方法，其特征在于，通入CF4、CHF3、O2的混合气体来刻蚀所述底部抗反射层。
4.根据权利要求2所述的自对准双层图形的形成方法，其特征在于，通入C4F8、O2的混合气体来刻蚀所述氧化硅层。
5.根据权利要求2所述的自对准双层图形的形成方法，其特征在于，通入气体O2去除所述底部抗反射层和光刻胶层。
6.根据权利要求1所述的自对准双层图形的形成方法，其特征在于，通入CF4、CHF3的混和气体对所述氮化硅层进行回刻蚀。
7.根据权利要求1所述的自对准双层图形的形成方法，其特征在于，所述步骤S05中的去除工艺是采用湿法刻蚀工艺；所述刻蚀工艺采用氢氟酸溶剂浸泡所述氧化硅核心图形。
8.根据权利要求1所述的自对准双层图形的形成方法，其特征在于，步骤S05中，通入CF4、SF6、N2、O2的混和气体以所述氮化硅侧墙为阻挡层对所述多晶硅层进行刻蚀。
9.根据权利要求1所述的自对准双层图形的形成方法，其特征在于，步骤S06中的去除工艺是采用湿法刻蚀工艺；所述刻蚀工艺采用热磷酸溶剂浸泡所述氮化硅侧墙。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
