[发明专利]避免离子注入层后光阻导致的薄膜中毒的方法在审
| 申请号： | 201410217833.3 | 申请日： | 2014-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN103956318A | 公开（公告）日： | 2014-07-30 |
| 发明（设计）人： | 范荣伟;何广智;陈宏璘;龙吟;倪棋梁 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 避免 离子 注入 层后光阻 导致 薄膜 中毒 方法 | ||
1.一种避免离子注入层后光阻导致的薄膜中毒的方法，其特征在于包括：
在介质薄膜上直接形成离子注入层光阻层，并利用离子注入层光阻层执行离子注入；
在离子注入之后执行去除离子注入层光阻层的工艺；
在执行去除离子注入层光阻层的工艺之后，全部或部分地去除与离子注入层光阻层直接接触的介质薄膜；
重新生长与介质薄膜材料相同的等效介质薄膜；以及
在等效介质薄膜上沉积另一介质层。
2.根据权利要求1所述的避免离子注入层后光阻导致的薄膜中毒的方法，其特征在于，利用氢氟酸溶液去除与离子注入层光阻层直接接触的介质薄膜。
3.根据权利要求2所述的避免离子注入层后光阻导致的薄膜中毒的方法，其特征在于，氢氟酸溶液中氢氟酸与水比例介于1000:1至50:1之间。
4.根据权利要求1或2所述的避免离子注入层后光阻导致的薄膜中毒的方法，其特征在于，等效介质薄膜与介质薄膜厚度相等。
5.根据权利要求1或2所述的避免离子注入层后光阻导致的薄膜中毒的方法，其特征在于，等效介质薄膜与介质薄膜厚度接近。
6.根据权利要求1或2所述的避免离子注入层后光阻导致的薄膜中毒的方法，其特征在于，所述介质薄膜是氧化硅层或者氮化硅层。
7.根据权利要求1或2所述的避免离子注入层后光阻导致的薄膜中毒的方法，其特征在于，重新生长与介质薄膜材料相同的等效介质薄膜时薄膜生长的方式是化学气相沉积、扩散工艺、快速退火热处理之一。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
