[发明专利]一种MEMS压力传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 201410217858.3 | 申请日： | 2014-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN105092137B | 公开（公告）日： | 2017-12-05 |
| 发明（设计）人： | 张先明;伏广才;杨天伦 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01L9/00 | 分类号： | G01L9/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 高伟,冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mems 压力传感器 及其 制备 方法 | ||
1.一种MEMS压力传感器的制备方法，所述方法包括：
提供基底，所述基底上形成有层间介质层以及位于所述层间介质层中的接触通孔；
在所述接触通孔上方依次形成热扩散阻挡层和无定型硅材料层；
对所述无定型硅材料层进行离子注入；
在所述无定型硅材料层的上方形成压力传感膜；
执行退火步骤，以激活注入的所述离子。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火步骤选用激光退火。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述退火步骤的能量大于2.0J/cm2。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述无定型硅材料层的厚度为800～1000埃。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述离子注入的能量为20～30KeV。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述离子注入的深度达到700～1000埃。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述热扩散阻挡层的厚度大于500埃。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述压力传感膜选用SiGe；
所述热扩散阻挡层选用TaN。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述无定型硅材料层选用N型硅材料或者P型硅材料；
当所述无定型硅材料层选用N型硅材料时，执行P型离子注入；
当所述无定型硅材料层选用P型硅材料时，执行N型离子注入。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述离子为硼离子。
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