[发明专利]通过二次曝光解决连接孔钨栓粘合层剥落缺陷的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，更具体地说，本发明涉及一种通过二次曝光解决连接孔钨栓粘合层剥落缺陷的方法。

背景技术

晶圆边缘的缺陷一向是集成电路缺陷控制工作中的一个难点。例如图1和图2所示，在钨栓塞填充前的剥落缺陷10会造成钨栓塞无法填充而形成未填充钨栓11，由此对良率产生极大影响。

传统的晶边缺陷控制方法是在剥落缺陷发生后通过清洗的方式去除，以防止此类缺陷掉入晶圆内部影响良率。但是，此类方法的弊端在于剥落缺陷一般在金属沉积后才发生，如果清洗不到位或清洗过度会造成更多的剥落缺陷，甚至造成严重的金属污染。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种通过二次曝光解决连接孔钨栓粘合层剥落缺陷的方法，其能够消除剥落缺陷源头，从而根本上控制剥落缺陷，为良率提升做出贡献。

为了实现上述技术目的，根据本发明，提供了一种通过二次曝光解决连接孔钨栓粘合层剥落缺陷的方法，其中在连接孔钨栓形成工艺中执行下述步骤：

设计用于对整个晶圆进行预曝光光刻的光刻掩模版，所述光刻掩模版的形状为圆形，所述光刻掩模版的直径小于所述晶圆的直径；

在对所述晶圆的有源区抗反射涂层洗边之后，以使得所述光刻掩模版的圆心对齐所述晶圆的圆心的方式将所述光刻掩模版布置在所述晶圆上，从而利用所述光刻掩模版对所述晶圆进行预曝光工艺以去除所述晶圆暴露区的光阻残留。

优选地，其特征在于进一步包括在去除光阻残留后进行光刻工艺。

优选地，所述光刻掩模版的直径介于所述晶圆的直径的85％-98％之间。

优选地，所述光刻掩模版的直径介于所述晶圆的直径的90％-95％之间。

优选地，所述光刻掩模版的直径在294mm到300mm之间。

通过应用本发明，可以有效地去除剥落缺陷的源头，从而根本上避免剥落缺陷的发生，为在线缺陷去除提供保障，为大批量晶圆生成提供良率保障。

其中，本发明所述的“二次曝光”指的是除了正常曝光之外，本发明增加了一道为了去除光阻残留而进行的预曝光工艺。

附图说明

结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中：

图1示意性地示出了根据现有技术中的钨栓塞填充前的剥落缺陷。

图2示意性地示出了根据现有技术中存在的未填充钨栓。

图3示意性地示出了光阻残留的情况。

图4示意性地示出了根据本发明优选实施例采用的曝光光刻的掩模版。

图5示意性地示出了根据本发明优选实施例的去除了光阻残留的情况。

需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。

具体实施方式

为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。

本发明通过找到并分析晶边剥落缺陷源头形成的原因，从根本上去除形成剥落源头的关键因素。发明人经过对在线产品在连接孔钨栓粘合层的剥落缺陷源头与剥落缺陷照片进行分析，发现产品剥落缺陷源头形成原因如图3所示，其关键因素是由于晶圆1边缘的抗反射涂层(BARC)2洗边过程中使最外层的抗反射涂层翘起，并在翘起的阴影部分使得光阻异常变厚，在光阻洗边过程中无法去除干净，在BARC刻蚀选择比足够的前提下，使得光阻残留3的部分产生了硅残留，为后续的剥落源头提供了基础。基于此，本发明找到了一种可以有效去除此剥离缺陷源头的方法，有效的预防剥落缺陷的发生。

在根据本发明优选实施例的通过二次曝光解决连接孔钨栓粘合层剥落缺陷的方法中，在连接孔钨栓形成工艺中执行下述步骤：

设计用于对整个晶圆进行预曝光光刻的光刻掩模版4，如图4所示，所述光刻掩模版4的形状为圆形或近似圆形，所述光刻掩模版4的直径小于所述晶圆的直径。优选地，所述光刻掩模版4的直径介于所述晶圆的直径的85％-98％之间；进一步优选地，所述光刻掩模版4的直径介于所述晶圆的直径的90％-95％之间；例如，在具体实施例中，所述光刻掩模版4的直径在294mm到300mm之间；