[发明专利]一种用于双重图形化工艺流程的侧墙形成方法

权利要求书

1.一种用于双重图形化工艺流程的侧墙形成方法，其特征在于包括：

首先，利用光刻胶执行光刻以对硬掩膜及硬掩膜上的氮化硅进行图形化，从而形成硬掩膜和氮化硅的叠层柱体；

此后，用原子层沉积工艺在叠层柱体外部生长氮化硅层，并随后利用原子层沉积工艺在氮化硅层外部生长将作为侧墙的氧化硅层；

随后，去除氮化硅层顶部的氧化硅层以暴露出氮化硅层，从而形成侧墙；

然后，执行氧气等离子体处理以使得氮化硅层氧化，并且去除进氧化的氮化硅层以及硬掩膜。

2.根据权利要求1所述的用于双重图形化工艺流程的侧墙形成方法，其特征在于，利用原子层沉积工艺在叠层柱体外部生长氮化硅层包括：

第一步骤，用于以惰性气体为载气在载有晶圆的反应腔中通入氨基硅烷；

第二步骤，利用惰性气体对晶圆表面进行吹扫；

第三步骤，在所述反应腔中通入氮气和/或氨气等离子体对晶圆表面的氨基硅烷进行氮化。

3.根据权利要求2所述的用于双重图形化工艺流程的侧墙形成方法，其特征在于，所述第一步骤、所述第二步骤和所述第三步骤被依次循环执行多次。

4.根据权利要求2或3所述的用于双重图形化工艺流程的侧墙形成方法，其特征在于，第一步骤中采用的惰性气体为Ar气，第二步骤中采用的惰性气体为氮气。

5.根据权利要求1或2所述的用于双重图形化工艺流程的侧墙形成方法，其特征在于，利用原子层沉积工艺在氮化硅层外部生长将作为侧墙的氧化硅层包括：

第一步，用于以惰性气体为载气在载有晶圆的反应腔中通入氨基硅烷；

第二步，用于利用惰性气体对晶圆表面进行吹扫；

第三步，用于在所述反应腔中通入氧气等离子体对晶圆表面的氨基硅烷进行氧化。

6.根据权利要求5所述的用于双重图形化工艺流程的侧墙形成方法，其特征在于，所述第一步、所述第二步和所述第三步被依次循环执行多次。

7.根据权利要求5或6所述的用于双重图形化工艺流程的侧墙形成方法，其特征在于，第一步中采用的惰性气体为Ar气，第二步中采用的惰性气体为氮气。

8.根据权利要求5或6所述的用于双重图形化工艺流程的侧墙形成方法，其特征在于，所述氨基硅烷是气态2Nte。