[发明专利]一种Mg/Eu掺杂的Y2O3纳米线阵列的制备方法无效
| 申请号： | 201410217957.1 | 申请日： | 2014-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN105084405A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 王金华 | 申请（专利权）人： | 天津职业技术师范大学 |
| 主分类号： | C01F17/00 | 分类号： | C01F17/00;C09K11/78;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300222 天*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mg eu 掺杂 sub 纳米 阵列 制备 方法 | ||
1.一种Mg/Eu掺杂的Y2O3纳米线阵列，所述Y2O3纳米线阵列的化学式为Y1.72Mg0.18Eu0.1O3。
2.如权利要求1所述Mg/Eu掺杂的Y2O3纳米线阵列的制备方法，其特征在于，所述的Mg/Eu掺杂的Y2O3纳米线阵列为采用简单水热反应法制备，所述的方法包括如下步骤：
步骤1：以分析纯级的Mg(NO3)2·6H2O，高纯级的Y2O3、Eu2O3为原料，以化学式Y1.72Mg0.18Eu0.1O3，按照摩尔比进行配比；
步骤2：将步骤1中摩尔配比的原料置于过量分析纯浓硝酸（65%），充分搅拌，使原料全部溶解获得澄清溶液；
步骤3：将步骤2获得的澄清溶液加热至95摄氏度持续7~8小时，同时充分搅拌，挥发掉过量硝酸；
步骤4：采用分析纯级NaOH粉调节溶液pH值至13；
步骤5：将步骤4得到的溶液置入反应釜内，反应釜填充度80%，将反应釜拧紧；
步骤6：将反应釜置于160摄氏度的鼓风干燥箱中，保持160摄氏度持续16小时，自然降温；
步骤7：将步骤6得到溶液采用高速离心机离心分离，离心结束后倒掉上层液体，采用去离子水与分析纯无水乙醇各清洗3次剩余样品；
步骤8：将清洗过的样品置入加盖刚玉坩埚，置于真空干燥箱中，先抽真空至压强为10-0.1帕，随后干燥箱升温至80摄氏度，保持80摄氏度持续12小时，得到干燥粉块体；
步骤9：将步骤8得到的粉块体置于箱式炉中，连续升温，在800摄氏度煅烧2小时，降温至300度后程序终止，随炉冷却至室温，出炉，得到Mg/Eu掺杂的Y2O3纳米线阵列。
3.如权利要求2中的Mg/Eu掺杂的Y2O3纳米线阵列材料的制备方法，其特征在于，步骤4中所溶液的pH值，采用分析纯级的NaOH粉调节至13。
4.如权利要求2中的Mg/Eu掺杂的Y2O3纳米线阵列材料的制备方法，其特征在于，步骤5中反应釜的填充度为80%。
5.如权利要求2中的Mg/Eu掺杂的Y2O3纳米线阵列材料的制备方法，其特征在于，步骤6中加热温度为160摄氏度，保温时间为16小时。
6.如权利要求2中的Mg/Eu掺杂的Y2O3纳米线阵列材料的制备方法，其特征在于，步骤7中去离子水和无水乙醇清洗3次。
7.如权利要求2中的Mg/Eu掺杂的Y2O3纳米线阵列材料的制备方法，其特征在于，步骤8中真空干燥箱内，压强为10-0.1帕，加热温度80摄氏度保持2小时。
8.如权利要求2中的Mg/Eu掺杂的Y2O3纳米线阵列材料的制备方法，其特征在于，步骤9中箱式炉加热温度为800摄氏度，保温时间为2小时。
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