[发明专利]上盖控制装置及半导体加工设备

权利要求书

1.一种上盖控制装置，用于控制反应腔室的上盖开启或者关闭，其包括气缸和气路控制单元，所述气缸用于在所述气路控制单元的控制下驱动所述上盖开启或关闭；其特征在于，所述气路控制单元包括检测单元、流量调节单元和控制单元；其中

所述检测单元用于在所述上盖开启和关闭的过程中，检测所述上盖的张开角度是否到达预设角度，若是，则向所述控制单元发送检测信号,所述预设角度包括角度不同的多个；

所述控制单元用于根据所述检测信号向所述流量调节单元发送控制信号；

所述流量调节单元用于根据所述控制信号在所述上盖的开启或关闭过程中对通入所述气缸的流量进行调节，以在上盖开启和关闭过程的初段和末段气缸驱动上盖以较慢的速度转动、在上盖开启和关闭过程的中段气缸驱动上盖以较快的速度转动。

2.根据权利要求1所述的上盖控制装置，其特征在于，所述气路控制单元包括开盖气路和闭盖气路，其中

所述开盖气路用于通过向所述气缸的第一腔通入气体，使所述气缸驱动所述上盖开启；

所述闭盖气路用于通过向所述气缸的第二腔通入气体，使所述气缸驱动所述上盖关闭。

3.根据权利要求2所述的上盖控制装置，其特征在于，所述流量调节单元包括第一流量控制阀和第二流量控制阀；

所述控制单元在所述上盖的开启过程中，根据所述检测信号向所述第一流量控制阀发送控制信号；所述第一流量控制阀设于所述开盖气路上，用于在所述上盖的开启过程中，根据所述控制信号对通入所述气缸的第一腔的气体的流量进行调节；

所述控制单元在所述上盖的关闭过程中，根据所述检测信号向所述第二流量控制阀发送控制信号；所述第二流量控制阀设于所述闭盖气路上，用于在所述上盖的关闭过程中，根据所述控制信号对通入所述气缸的第二腔的气体的流量进行调节。

4.根据权利要求2所述的上盖控制装置，其特征在于，所述开盖气路包括相互并联的多个第一支路；所述流量调节单元包括第一通断阀和第一节流阀；

所述第一节流阀的数量与所述第一支路的数量相对应，且所述第一节流阀一一对应地设置于所述第一支路上，或者，所述第一节流阀的数量少于所述第一支路的数量，且所述第一节流阀一一对应地设置于其中一部分第一支路上；每个第一节流阀用于调节其所在第一支路的流量；

所述控制单元在所述上盖的开启过程中，根据所述检测信号向所述第一通断阀发送控制信号；所述第一通断阀根据所述控制信号，可选择地接通所有第一支路中的至少一个，以对通入所述气缸的第一腔的气体的流量进行调节。

5.根据权利要求2所述的上盖控制装置，其特征在于，所述闭盖气路包括相互并联的多个第二支路；所述流量调节单元包括第二通断阀和第二节流阀；

所述第二节流阀的数量与所述第二支路的数量相对应，且所述第二节流阀一一对应地设置于所述第二支路上，或者，所述第二节流阀的数量少于所述第二支路的数量，且所述第二节流阀一一对应地设置于其中一部分第二支路上；每个第二节流阀用于调节其所在第二支路的流量；

所述控制单元在所述上盖的关闭过程中，根据所述检测信号向所述第二通断阀发送控制信号；所述第二通断阀根据所述控制信号，可选择地接通所有第一支路中的至少一个，以对通入所述气缸的第二腔的气体的流量进行调节。

6.根据权利要求4所述的上盖控制装置，其特征在于，所述第一通断阀包括电磁阀。

7.根据权利要求5所述的上盖控制装置，其特征在于，所述第二通断阀包括电磁阀。

8.根据权利要求1所述的上盖控制装置，其特征在于，所述检测单元包括位置传感器，所述位置传感器对应地设置在所述上盖到达所述预设角度时，所述气缸的活塞所在的位置处；

所述位置传感器在所述上盖到达所述预设角度时，向所述控制单元发送检测信号。

9.根据权利要求8所述的上盖控制装置，其特征在于，所述位置传感器的数量为多个，且所述位置传感器和预设角度一一对应。

10.一种半导体加工设备，包括反应腔室，所述反应腔室包括腔体、上盖和上盖控制装置，其特征在于，所述上盖控制装置采用权利要求1-9任意一项所述的上盖控制装置。