[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201410218843.9 | 申请日： | 2014-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN105097661B | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | 倪梁;汪新学 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基底 介电层 通孔开口 硅通孔 金属互联结构 半导体器件 电子装置 元器件 制备 沟槽蚀刻 开口对准 接合 研磨 界面处 暴露 | ||
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
提供第一基底，在所述第一基底上形成有元器件和位于所述元器件上方的金属互联结构，所述金属互联结构嵌于第一介电层中；在所述第一介电层上形成有第二介电层，在所述第二介电层中形成有通孔开口，所述通孔开口暴露出所述金属互联结构；
提供第二基底，在所述第二基底中形成有锥形硅通孔沟槽；
将所述锥形硅通孔沟槽的开口对准所述通孔开口，并将所述第二基底和所述第一基底接合为一体；
研磨所述第二基底，以露出所述锥形硅通孔沟槽。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还进一步包括：
在所述锥形硅通孔沟槽和所述通孔开口中填充导电材料，以形成通孔和硅通孔。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在形成所述硅通孔之前，所述方法还包括在所述锥形硅通孔沟槽的侧壁上形成阻挡层和衬里层的步骤。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述第二基底和所述第一基底接合为一体之后，所述锥形硅通孔沟槽呈上宽下窄的形状。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述锥形硅通孔沟槽的侧壁和所述第二基底的水平表面之间形成的锐角小于85°。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，选用博世蚀刻工艺蚀刻所述第二基底，以在所述第二基底中形成上窄下宽的锥形硅通孔沟槽。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述元器件包括惯性传感器。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二介电层包括氧化物层。
9.一种基于权利要求1至8之一所述的方法制备得到的半导体器件。
10.一种电子装置，包括权利要求9所述的半导体器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
