[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

步骤S101：在前端器件上形成第一绝缘层，并形成位于所述第一绝缘层内的第一接触孔以及位于所述第一接触孔内的底电极；

步骤S102：形成位于所述第一绝缘层之上的第二绝缘层，在所述第二绝缘层内形成位于所述底电极上方的第二接触孔；

步骤S103：形成覆盖所述第二接触孔的底部与侧壁的相变材料层，通过氩溅射工艺去除所述相变材料层位于所述第二接触孔底部的部分，以形成环形相变材料。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S103中，形成的所述相变材料层还覆盖所述第二绝缘层，并且，所述氩溅射工艺还去除所述相变材料层的覆盖所述第二绝缘层的部分。

3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S103中，所述环形相变材料的壁厚为10-30nm。

4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S103中，所述环形相变材料的外径为30-100nm，内径为20-90nm。

5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述步骤S101包括：

步骤S1011：提供前端器件，在所述前端器件上形成第一绝缘层；

步骤S1012：通过刻蚀工艺形成贯穿所述第一绝缘层的第一接触孔；

步骤S1013：在所述第一接触孔内填充导电材料；

步骤S1014：通过CMP工艺去除过量的导电材料，以形成所述底电极。

6.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S1013中，在填充所述导电材料之前，在所述第一接触孔内沉积粘结层；并且，在所述步骤S1014中，所述CMP工艺还去除所述粘结层的高于所述第一绝缘层的部分。

7.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S102中，形成所述第二接触孔的方法包括干法刻蚀或湿法刻蚀。

8.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S103之后还包括步骤S104：

在所述环形相变材料的开口内填充第一介电材料和第二介电材料，通过CMP工艺去除过量的所述第一介电材料和所述第二介电材料，以形成位于所述环形相变材料的开口的内壁上的第一填充组件以及位于所述开口内未被所述第一填充组件覆盖的区域的第二填充组件。

9.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S104之后还包括步骤S105：

形成位于所述环形相变材料之上并与所述环形相变材料相接触的上电极。

10.一种半导体器件，其特征在于，包括前端器件、位于所述前端器件上的第一绝缘层以及位于所述第一绝缘层上的第二绝缘层，其中，所述第一绝缘层内形成有第一接触孔，所述第一接触孔内设置有底电极，所述第二绝缘层内形成有位于所述底电极上方的第二接触孔，所述第二接触孔内设置有与所述底电极相接触的环形相变材料。

11.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述环形相变材料的壁厚为10-30nm。

12.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述环形相变材料的外径为30-100nm，内径为20-90nm。

13.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括位于所述环形相变材料的开口的内壁上的第一填充组件以及位于所述开口内未被所述第一填充组件覆盖的区域的第二填充组件。

14.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括位于所述环形相变材料上方且与所述环形相变材料相接触的上电极。

15.一种电子装置，其特征在于，包括电子组件以及与所述电子组件电连接的半导体器件，其中所述半导体器件包括：

前端器件、位于所述前端器件上的第一绝缘层以及位于所述第一绝缘层上的第二绝缘层，其中，所述第一绝缘层内形成有第一接触孔，所述第一接触孔内设置有底电极，所述第二绝缘层内形成有位于所述底电极上方的第二接触孔，所述第二接触孔内设置有与所述底电极相接触的环形相变材料。