[发明专利]可量产的硼扩散结合磷离子注入的太阳电池的制作方法

权利要求书

1.一种可量产的硼扩散结合磷离子注入的太阳电池的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)硅片双面抛光；(2)背面硼扩散；(3)硼硅玻璃去除，正面去除因背面硼扩散而渗透形成的扩散层，且反刻背面去除因硼扩散而形成的死层：采用在线滚轮式设备进行去除；(4)背面沉积氮化硅薄膜作为制绒保护膜；(5)正面单面制绒；(6)去除背面的氮化硅薄膜，清洗；(7)正面离子注入磷，并退火；(8)等离子刻边；(9)背面单面沉积氧化铝/氮化硅叠层膜；(10)正面沉积氮化硅减反射膜；(11)背面局部打开薄膜，露出硼掺杂层：采用激光在背面局部打开薄膜，露出硼掺杂层，进行局域硅铝接触；(12)背面印刷背电极和铝层，正面印刷银栅线；(13)烧结，测试；其中，步骤1具体为选择电阻率为0.5-6ohm·cm的P型硅片，用质量分数为0.5-10％的氢氧化钠或氢氧化钾溶液在45-100℃下对P型硅片表面进行抛光；步骤2是在扩散炉中在600-900℃的温度下，对硅片的背面进行磷扩散，使P型晶体硅方阻为20-150ohm/sq；步骤4中的氮化硅薄膜的厚度为50-120nm；步骤5具体是用质量分数为0.5-10％的氢氧化钠或氢氧化钾溶液在45-100℃下对硅片的正面进行进行化学腐蚀，制备出金字塔形状的绒面；步骤7具体为先离子注入磷源，在离子束能量为8-15keV、离子注入量为1×10¹⁵-7×10¹⁵cm^-2后，再在退火炉中，在800-1000℃的温度下退火，退火后的P型晶体硅方阻为40-120ohm/sq。

2.根据权利要求1所述的可量产的硼扩散结合磷离子注入的太阳电池的制作方法，其特征在于：步骤6去除背面的氮化硅薄膜后用用质量分数为0.5-30％的氢氟酸进行清洗。

3.根据权利要求1所述的可量产的硼扩散结合磷离子注入的太阳电池的制作方法，其特征在于：步骤9中沉积的氧化铝膜的厚度为1-50nm，氮化硅膜的厚度为10-200nm，步骤10中沉积的氮化硅减反射膜的厚度为50-120nm，所述步骤9和步骤10的顺序可以颠倒。

4.根据权利要求1所述的可量产的硼扩散结合磷离子注入的太阳电池的制作方法，其特征在于：步骤11中采用点阵或线阵进行局域硅铝接触，采用点阵时，点的直径为30μm-1mm，间距为50μm-2mm；采用线阵时，线宽为5-150μm，间距为200μm-5mm。

5.根据权利要求1所述的可量产的硼扩散结合磷离子注入的太阳电池的制作方法，其特征在于：步骤12中采用铝浆丝网印刷的方法或PVD蒸镀铝的方法来印刷背电极及铝背场。