[发明专利]一种可量产的PERL晶体硅太阳电池的制作方法

权利要求书

1.一种可量产PERL晶体硅太阳电池的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：

(1)硅片去损伤并制绒、清洗：选择p型硅片作为硅基体，对选择的p型硅片去损伤后在碱液下进行表面绒面化，然后在酸性条件下进行化学清洗，除去表面杂质；p型硅片其电阻率为0.5-6ohm·cm，对硅片的制绒、清洗具体为：用质量分数为0.5-2％的氢氧化钠或氢氧化钾溶液在75-85℃下对P型硅片表面进行化学腐蚀，制备出金字塔形状的绒面，随后用质量分数为0.5-30％的氢氟酸进行清洗；

(2)磷扩散：对硅片的正面进行磷扩散形成n型层，扩散自然形成的磷硅玻璃作为电池正面的掩膜，实现背面去除发射结以及抛光的目的；

(3)背面磷硅玻璃去除，并实现背面抛光，去除磷硅玻璃并清洗；

(4)在硅片的背面氧化铝/氮化硅叠层薄膜生长；

(5)在硅片的正面氮化硅减反射薄膜生长；

(6)在硅片的背面印刷p型掺杂剂并烘干；

(7)在硅片的背面的p型掺杂剂印刷区域采用激光进行局域重掺杂；

(8)对硅片进行超声清洗；

(9)在硅片的背面印刷背电极及铝背场，正面印刷银栅线；

(10)烧结，测试。

2.根据权利要求1所述的可量产的PERL晶体硅太阳电池的制作方法，其特征在于：步骤2中磷扩散采用管式磷扩散的方法，具体是在扩散炉中在600-900℃的温度下，采用POCL₃对硅片的正面进行磷扩散形成n型层，使P型晶体硅方阻为20-150ohm/sq。

3.根据权利要求1所述的可量产的PERL晶体硅太阳电池的制作方法，其特征在于：步骤3中的背面磷硅玻璃去除，并实现背面抛光，去除磷硅玻璃并清洗的方法，是采用在线滚轮式设备，背面去除磷硅玻璃，实现背面抛光，然后去除正面磷硅玻璃，然后采用质量分数为0.5-30％的氢氟酸溶液清洗。

4.根据权利要求1所述的可量产的PERL晶体硅太阳电池的制作方法，其特征在于：步骤4中的电池背面氧化铝/氮化硅叠层薄膜生长采用SiNx、SiCx或TiOx进行钝化，所述的氧化铝薄膜的厚度为1-100nm。

5.根据权利要求1所述的可量产的PERL晶体硅太阳电池的制作方法，其特征在于：步骤5中采用PECVD的方法生长氮化硅减反射薄膜，其中氮化硅减反射膜的厚度为50-120nm，所述步骤4和步骤5的顺序可以颠倒。

6.根据权利要求1所述的可量产的PERL晶体硅太阳电池的制作方法，其特征在于：步骤6中在硅的背面采用丝网印刷或喷墨打印的方法印刷p型掺杂剂，所述的p型掺杂剂为硼浆，印刷的图形为平行的直线，线宽为5-150um，线间距为200um-5mm；步骤7中采用激光对硅片的背面的p型掺杂剂进行局域重掺杂，掺杂区域线宽10-150um，所述的p型掺杂剂为硼浆。

7.根据权利要求1所述的可量产的PERL晶体硅太阳电池的制作方法，其特征在于：超声清洗时所用的清洗溶液为质量浓度为0.5-2％的NaOH和异丙醇混合溶液。

8.根据权利要求1所述的可量产的PERL晶体硅太阳电池的制作方法，其特征在于：步骤9中采用铝浆丝网印刷的方法或PVD蒸镀铝的方法来印刷背电极及铝背场。

9.根据权利要求1所述的可量产的PERL晶体硅太阳电池的制作方法，其特征在于：步骤9中背电极及铝背场的印刷可以在电池背面的叠层膜生长结束后，印刷Al浆并烘干，直接利用LFC工艺形成背面点接触的背电极及铝背场。