[发明专利]半导体器件的制作方法及半导体器件在审
| 申请号： | 201410220039.4 | 申请日： | 2014-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN105097930A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 高健;刘磊;刘达 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 | ||
1.一种半导体器件的制作方法，包括：
在衬底的正面上形成栅极，并在所述衬底的背面上形成与所述栅极的材料相同的栅极材料层；
在所述栅极的侧壁上形成侧壁层，并在所述栅极材料层的表面上形成与所述侧壁层的材料相同的侧壁材料层；
在所述侧壁材料层远离所述衬底的一侧上形成介质层；
形成覆盖所述栅极、侧壁层以及衬底的裸露表面的应变材料层；
执行退火工艺以在所述栅极和衬底中朝向所述应变材料层的一侧形成应力层；以及
湿法刻蚀去除所述应变材料层。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述介质层的步骤包括：
形成覆盖所述衬底、栅极、侧壁层和侧壁材料层的介质预备层；以及
去除所述介质预备层中位于所述衬底、栅极和侧壁层表面上的部分，形成所述介质层。
3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，形成所述介质预备层的步骤中，在侧壁材料层上形成厚度为所述侧壁材料层的厚度1/4～3/4的所述介质预备层。
4.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，去除所述介质预备层的工艺为湿法刻蚀，所述湿法刻蚀的方式为喷淋法。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的制作方法，其特征在于，所述介质层的刻蚀速率小于所述应变材料层的刻蚀速率。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的制作方法，其特征在于，所述介质层为SiO2。
7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述应变材料层为SiN或SiON。
8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，去除所述应变材料层的步骤中，所述湿法刻蚀的方式为浸泡法。
9.一种半导体器件，包括衬底，设置于所述衬底的正面上的栅极，设置于所述栅极的侧壁上的侧壁层，沿远离所述衬底的背面方向依次设置于所述衬底的背面上的栅极材料层和侧壁材料层，以及设置在所述栅极中远离所述衬底的一侧和所述衬底中靠近所述栅极的一侧的应力层，其特征在于，所述半导体器件还包括设置于所述侧壁材料层的表面上的介质层。
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述介质层的厚度为所述侧壁材料层的厚度的1/4～3/4。
11.根据权利要求9或10所述的半导体器件，其特征在于，所述介质层为SiO2。
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