[发明专利]GaN衬底储存方法

权利要求书

1.一种GaN衬底储存方法，其采用配备有进气阀和排气阀的储存器件，所述进气阀和排气阀与相应的进气线和排气相连接，所述GaN衬底储存方法包括：

放置步骤，在所述储存器件的内部的气氛的温度为5℃至60℃的情况下，将多个准备形成器件的GaN衬底放置到所述储存器件中，其中，在所述放置步骤之前，将每个所述准备形成器件的GaN衬底处理成以使得沿着每个GaN衬底的第一主面具有20nm以下的表面粗糙度Ra，以及使得沿着每个GaN衬底的第二主面具有20μm以下的表面粗糙度Ra；

进气/排气步骤，经由所述进气线和进气阀，将不大于18vol.％的氧浓度且不大于25g/m³的水蒸汽浓度的惰性气体引入到所述储存器件中，以及经由所述排气线和排气阀，将大于18vol.％氧浓度和大于25g/m³的水蒸汽浓度的气体从所述储存器件排出，从而在所述储存器件的内部生成具有18vol.％以下的氧浓度以及25g/m³以下的水蒸汽浓度的气氛；以及

密封步骤，将多个衬底密封到对于氧和水蒸汽隔绝的储存容器中。

2.根据权利要求1所述的GaN衬底储存方法，其中，

在所述进气/排气步骤中，在所述储存器件的内部生成的所述气氛是氧浓度为5vol.％以下且水蒸汽浓度为17g/m³以下的气氛。

3.根据权利要求2所述的GaN衬底储存方法，还包括与所述进气/排气步骤一前一后地，将氧净化剂和脱水剂放置在所述储存器件的内部的步骤。

4.根据权利要求1所述的GaN衬底储存方法，其中，

将每个GaN衬底处理成以使得具有5nm以下的第一主面的表面粗糙度Ra，以及10μm以下的第二主面的表面粗糙度Ra。

5.根据权利要求1所述的GaN衬底储存方法，其中，

在所述放置步骤之前，将每个GaN衬底处理成以使得具有由在所述GaN衬底上的主面和其(0001)面形成的偏轴角，并且在方向上，所述偏轴角是在0.05°和2°之间，端点包含在内，以及在方向上，所述偏轴角是在0°和1°之间，端点包含在内。

6.根据权利要求5所述的GaN衬底储存方法，其中，

将每个GaN衬底处理成以使得具有这样的偏轴角，在方向上该偏轴角在0.1°和0.8°之间，端点包含在内，以及在方向上该偏轴角在0°和0.6°之间，端点包含在内。

7.根据权利要求5所述的GaN衬底储存方法，其中，被密封到所述储存容器中的多个衬底被储存大约六个月。

8.根据权利要求1所述的GaN衬底储存方法，其中，

被密封到所述储存容器中的多个衬底被储存大约六个月。

9.根据权利要求1所述的GaN衬底储存方法，还包括与所述进气/排气步骤一前一后地，将氧净化剂和脱水剂放置在所述储存器件的内部的步骤。