[发明专利]外延晶片及其制造方法、光电二极管和光学传感器装置在审

专利信息
申请号: 201410220700.1 申请日: 2014-05-23
公开(公告)号: CN104218118A 公开(公告)日: 2014-12-17
发明(设计)人: 藤井慧;柴田馨;秋田胜史 申请(专利权)人: 住友电气工业株式会社
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0304;H01L31/102;H01L31/0352;B82Y20/00
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 李兰;孙志湧
地址: 日本大阪*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 外延 晶片 及其 制造 方法 光电二极管 光学 传感器 装置
【权利要求书】:

1.一种制造外延晶片的方法,所述方法包括:

在III-V族半导体衬底上生长外延层结构的步骤,所述外延层结构包括III-V族半导体多量子阱和III-V族半导体表面层,

其中执行在所述衬底上生长外延层结构的步骤,使得所述多量子阱相对于所述衬底的晶格失配△ω满足-0.13%≤△ω<0%或0%<△ω≤+0.13%的范围,所述范围的中心偏离零,并且源自所述多量子阱的零阶衍射峰中的X射线摇摆曲线具有30秒或更小的半峰全宽。

2.根据权利要求1所述的方法,其中所述晶格失配△ω满足-0.13%≤△ω<-0.01%或+0.01%<△ω≤+0.13%的范围。

3.根据权利要求1或2所述的方法,其中所述衬底是InP衬底,且所述多量子阱是InGaAs/GaAsSb II型多量子阱。

4.根据权利要求1或2所述的方法,其中所述多量子阱包括50或更多对量子阱。

5.根据权利要求1或2所述的方法,其中所述外延层结构是通过金属有机气相外延来生长的。

6.一种包括III-V族半导体层结构的外延晶片,所述外延晶片包括:

III-V族半导体衬底;和

布置在所述衬底上的III-V族半导体多量子阱,

其中所述多量子阱相对于所述衬底的晶格失配△ω满足-0.13%≤△ω<0%或0%<△ω≤+0.13%的范围,并且源自所述外延晶片的所述多量子阱的零阶衍射峰中的X射线摇摆曲线具有30秒或更小的半峰全宽。

7.根据权利要求6所述的外延晶片,其中所述晶格失配△ω满足-0.13%≤△ω<-0.01%或+0.01%<△ω≤+0.13%的范围。

8.根据权利要求6或7所述的外延晶片,其中所述衬底是InP衬底,且所述多量子阱是InGaAs/GaAsSb II型多量子阱。

9.根据权利要求6或7所述的外延晶片,其中所述多量子阱包括50或更多对量子阱。

10.一种光电二极管,所述光电二极管包括根据权利要求6或7所述的外延晶片的层结构。

11.一种光传感器装置,所述光传感器装置包括:根据权利要求10所述的光电二极管,和读出集成电路。

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