[发明专利]一种触控屏结构及其制作方法

权利要求书

1.一种触控屏结构，其特征在于，包括：

基板，包括第一面和第二面；

遮蔽层，设置于所述第一面，用以遮蔽显示装置所发射之光线；

第一电极层，叠置于遮蔽层之上；

绝缘层，叠置在第一电极层之上；

第二电极层，叠置于绝缘层之上，从而与第一电极层并间由所述绝缘层形成触控功能；

其中，第一电极层与第二电极层均具有透明导电层，且第一电极层和/或第二电极层具有屏蔽层，该屏蔽层为与透明导电层材质不同的金属。

2.根据权利要求1所述的触控屏结构，其特征在于，当第一电极层和第二电极层均包含屏蔽层时则均具有三个亚层，其中屏蔽层构成三个亚层中的中间亚层。

3.根据权利要求2所述的触控屏结构，其特征在于，屏蔽层为真空溅镀形成的银膜。

4.根据权利要求3所述的触控屏结构，其特征在于，所述银膜的厚度为3nm~7nm。

5.根据权利要求1至4任一所述的触控屏结构，其特征在于，所述屏蔽层为整面覆盖第一电极层或第二电极层边缘所限定范围的膜层，相应地所述绝缘层亦为为整面覆盖第一电极层或第二电极层边缘所限定范围的膜层。

6.根据权利要求1至4任一所述的触控屏结构，其特征在于，属于第一电极层的所述屏蔽层图案化为与该第一电极层上的透明导电层一致；属于第二电极层的所述屏蔽层图案化为与该第二电极层上的透明导电层一致。

7.根据权利要求6所述的触控屏结构，其特征在于，所述绝缘层图案化为与所述第二电极层上的透明导电层一致。

8.根据权利要求1至4任一所述的触控屏结构，其特征在于，所述透明导电层为ITO透明导电层。

9.根据权利要求8所述的触控屏结构，其特征在于，所述ITO透明导电层的厚度为10nm~50nm。

10.根据权利要求1所述的触控屏结构，其特征在于，所述遮蔽层具有遮蔽图案，用以暴露出相应于该遮蔽图案的基板，相应地，第一电极层亦经由所述遮蔽图案覆盖于基板上。

11.一种触控屏结构，其特征在于，包括：

基板，包括第一面和第二面；

遮蔽层，设置于所述第一面，用以遮蔽显示装置所发射之光线；

缓冲层，覆盖在所述遮蔽层上；

第一电极层，叠置于缓冲层之上；

绝缘层，叠置在第一电极层之上；

第二电极层，叠置于绝缘层之上，从而与第一电极层并间由所述绝缘层形成触控功能；

其中，第一电极层与第二电极层均具有透明导电层，且第一电极层和/或第二电极层具有屏蔽层，该屏蔽层为与透明导电层材质不同的金属。

12.一种触控屏制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

于一基板的一面叠置遮蔽层，用以遮蔽显示装置发射之光线；

于遮蔽层上叠置第一电极层；

于第一电极层上覆盖绝缘层；

进而在绝缘层上设置与第一电极层相对的第二电极层；

其中第一电极层和第二电极层均制作有透明导电层，且至少其一制作有屏蔽层，该屏蔽层所选用材质与所属电极层之透明导电层材质不一致的金属材质，且与同电极层的透明导电层分步制作。

13.根据权利要求12所述的触控屏制作方法，其特征在于，第一电极层和第二电极层均为三亚层结构，其中屏蔽层作为中间亚层，同一电极层上的亚层在同一真空室内制作，匹配不同的亚层设置不同的靶材。

14.根据权利要求12所述的触控屏制作方法，其特征在于，透明导电层为ITO透明导电层，且ITO靶材的溅射功率为30W，屏蔽层为银层，溅射功率为30W时的溅射时间为5秒。

15.一种触控屏制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

于一基板的一面叠置遮蔽层，用以遮蔽显示装置发射之光线；

于遮蔽层上叠置一缓冲层；

于缓冲层上设置第一电极层；

进而在第一电极层上覆盖绝缘层；

进而在绝缘层上设置与第一电极层相对的第二电极层；

其中第一电极层和第二电极层均制作有透明导电层，且至少其一制作有屏蔽层，该屏蔽层所选用材质与所属电极层之透明导电层材质不一致的金属材质，且与同电极层的透明导电层分步制作。