[发明专利]一种基于有机聚合物薄膜的太赫兹波调制器

权利要求书

1.一种基于有机聚合物薄膜的太赫兹波调制器，其特征在于：包括介质基板和附着于介质基板表面的有机聚合物薄膜；所述介质基板是对太赫兹波具有高透过滤的硅材料；所述有机聚合物薄膜是由共轭聚合物材料利用旋涂法均匀旋涂在介质基板上形成的薄膜。

2.根据权利要求1所述的太赫兹波调制器，其特征在于，所述介质基板为具有高阻抗值的硅基片，其阻抗值为1万欧母，厚度为0.1-2mm。

3.根据权利要求1或2所述的太赫兹波调制器，其特征在于，所述共轭聚合物材料选自MEH-PPV，聚2-(2-乙基已氧基)-5-甲氧基苯乙炔；PFO，聚(9,9-二正辛基芴基-2,7-二基；F8BT，聚[(9,9-二正辛基芴基-2,7-二基)-alt-(苯并[2,1,3]噻二唑-4,8-二基)]；P3HT，聚(3-己基噻吩-2,5-二基)中的一种。

4.根据权利要求1或2所述的太赫兹波调制器，其特征在于，所述共轭聚合物材料为聚2-(2-乙基已氧基)-5-甲氧基苯乙炔(简称MEH-PPV)。

5.根据权利要求1至4任一所述的太赫兹波调制器，其特征在于，所述有机聚合物薄膜的厚度为100-250nm。

6.权利要求1至4任一所述基于有机聚合物薄膜的太赫兹波调制器的制备方法，其特征在于：将硅基片固定在匀胶机的旋转台上，设定旋转台的转速和旋转时间；将共轭聚合物材料溶液滴覆在硅基片上，开始旋转至停止；将旋涂好的硅基片真空干燥即得到产品基于有机聚合物薄膜的太赫兹波调制器。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：旋转台转速为800-2000转/分钟，旋转时间为60秒。

8.根据权利要求6或7所述的制备方法，其特征在于：旋涂好的硅基片在80℃下真空干燥1小时。

9.根据权利要求5或6或7或8所述的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤一、配制MEH-PPV溶液：使用型号为TCX-300S的超声波清洗机，将待用的溶液瓶在离子水中超声后，用清洁剂擦洗干净，然后分别用丙酮、乙醇和去离子水反复超声清洗，最后用氮气将溶液瓶吹干；称量定量的MEH-PPV絮状材料，配制成浓度为7mg/ml的MEH-PPV甲苯溶液；

步骤二、清洗硅基片：将选定厚度的硅基片在离子水中超声后，用清洁剂擦洗干净，然后分别用丙酮、乙醇和去离子水反复超声清洗，最后用氮气将基片吹干；

步骤三、旋涂：使用型号为KW-4A的匀胶机，将硅基片用吸压的方式固定在匀胶机的旋转台上，设定旋转台的转速为1000-2000转/分钟、旋转时间60秒；然后将MEH-PPV溶液滴覆在硅基片上，开始旋转；

步骤四、干燥成膜：将旋涂好的硅基片放入型号为DZF-6020的干燥箱内，在80℃下真空处理1小时，得到基片上覆有纯净、平整的薄膜的产品即基于有机聚合物薄膜的太赫兹波调制器。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于：步骤三滴覆在硅基片上MEH-PPV溶液量为100-150μl。