[发明专利]一种发光二极管外延片及其制造方法有效
| 申请号： | 201410222155.X | 申请日： | 2014-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN104022197B | 公开（公告）日： | 2017-06-30 |
| 发明（设计）人： | 孙玉芹;王江波;刘榕 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光二极管外延片，所述外延片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在所述蓝宝石衬底上的未掺杂GaN层、N型层、有源层、P型层，所述有源层包括交替生长的量子阱层和量子垒层，所述量子阱层为InGaN层，其特征在于，所述量子垒层包括第一量子垒层和第二量子垒层，所述第二量子垒层为所述有源层中最靠近所述P型层的一个量子垒层，所述第一量子垒层为除所述第二量子垒层以外的量子垒层，所述第一量子垒层为GaN层，所述第二量子垒层包括交替生长的第一子层和第二子层，所述第一子层为GaN层，所述第二子层为AlGaN层，所述第二子层中Al、Ga、N的组分含量比为x：(1-x)：1；
所述第二量子垒层中不掺杂Mg，所述第一子层的层数为6，所述第二子层的层数为6，所述第一子层和所述第二子层的厚度依次为13埃、15埃，x为0.4；
或者，所述第二量子垒层中不掺杂Mg，所述第一子层的层数为6，所述第二子层的层数为6，所述第一子层和所述第二子层的厚度依次为22埃、25埃，x为0.25；
或者，所述第二量子垒层中掺有Mg，所述第一子层的层数为4，所述第二子层的层数为4，所述第一子层和所述第二子层的厚度依次为10埃、12埃，x为0.3；
或者，所述第二量子垒层中掺有Mg，所述第一子层的层数为4，所述第二子层的层数为4，所述第一子层和所述第二子层的厚度依次为6埃、8埃，x为0.45。
2.一种发光二极管外延片的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
将蓝宝石衬底放置在石墨盘上并送入金属有机化合物化学气相沉淀反应腔中加热；
在所述蓝宝石衬底上依次生长未掺杂GaN层、N型层；
在所述N型层上生长有源层，所述有源层包括交替生长的量子阱层和量子垒层，所述量子阱层为InGaN层，所述量子垒层包括第一量子垒层和第二量子垒层，所述第二量子垒层为所述有源层中最靠近P型层的一个量子垒层，所述第一量子垒层为除所述第二量子垒层以外的量子垒层，所述第一量子垒层为GaN层，所述第二量子垒层包括交替生长的第一子层和第二子层，所述第一子层为GaN层，所述第二子层为AlGaN层；
在所述有源层上生长所述P型层；
其中，所述第二子层中Al、Ga、N的组分含量比为x：(1-x)：1；
所述第二量子垒层中不掺杂Mg，所述第一子层的层数为6，所述第二子层的层数为6，所述第一子层和所述第二子层的厚度依次为13埃、15埃，x为0.4；
或者，所述第二量子垒层中不掺杂Mg，所述第一子层的层数为6，所述第二子层的层数为6，所述第一子层和所述第二子层的厚度依次为22埃、25埃，x为0.25；
或者，所述第二量子垒层中掺有Mg，所述第一子层的层数为4，所述第二子层的层数为4，所述第一子层和所述第二子层的厚度依次为10埃、12埃，x为0.3；
或者，所述第二量子垒层中掺有Mg，所述第一子层的层数为4，所述第二子层的层数为4，所述第一子层和所述第二子层的厚度依次为6埃、8埃，x为0.45。
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