[发明专利]一种光掩模图案的修复方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别是涉及一种光掩模图案的修复方法。

背景技术

在半导体器件工艺中，光刻是特别重要的步骤。光刻的本质就是将电路结构复制到以后要进行刻蚀步骤的晶圆上。电路结构首先以一定的比例将图形形式制作在被称为光掩模的透明基板上，光源通过该光掩模将图形转移到晶圆的光刻胶，进行显影后，用后续的刻蚀步骤将图形成像在晶圆底层薄膜上。

由此可见，在光刻步骤中，光源通过光掩模将图形复制到晶圆衬底的光刻胶层。因此，就需要在光掩模上制作图形。目前主要的光掩模类型有二元式光掩模和衰减式相位偏移光掩模两种类型。

而随着光掩模制造技术的发展，光掩模图案的线宽变得越来越小，在制造光掩模时，往往会出现掩膜图案部分丢失的情况，因此，掩模图案的修复是光掩模制造过程中非常重要的步骤。

如图1～4所示，现有技术中修复掩模图案2A的方法是直接在透明基板1A上待修复部分21A处沉积修复材料。由于透明基板1A表面非常光滑且需要修复的图案是分散的，因此，在后续清洗工艺中，修补在透明基板1A上的修复材料很容易被清洗掉，导致修复的掩模图案再次缺失，图案修复的成功率难以保证。

因此，提供一种新型的光掩模图案的修复图案是本领域技术人员需要解决的课题。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种光掩模图案的修复方法，用于解决现有技术中修复的光掩模图案容易在清洗工艺中被再次冲洗掉而导致图案再次缺失的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种光掩模图案的修复方法，所述光掩模图案的修复方法至少包括步骤：

提供光掩模，所述光掩模包括透明基板和位于所述透明基板上且具有掩模图案的遮光层，所述掩模图案具有待修复部分；

刻蚀所述透明基板，在与所述待修复部分对应的位置形成与待修复部分图案相同的沟槽

沉积修复材料至所述沟槽中，修复所述光掩模图案。

作为本发明光掩模图案的修复方法的一种优化的方案，采用离子束聚焦工艺刻蚀所述玻璃基板在所述透明基板中形成与待修复部分图案相同的沟槽。

作为本发明光掩模图案的修复方法的一种优化的方案，所述离子束聚焦工艺采用Ga或In源，离子束的入射角度范围选择为0～1度，离子束电压为15～30kV，离子束的能量范围为10～200keV，离子束电流为1.5～7pA，工艺时间持续2～5分钟。

作为本发明光掩模图案的修复方法的一种优化的方案，采用化学气相沉积工艺沉积所述修复材料。

作为本发明光掩模图案的修复方法的一种优化的方案，所述修复材料的总厚度等于所述透明基板上其他掩模图案的厚度。

作为本发明光掩模图案的修复方法的一种优化的方案，所述修复材料为碳氢的化合物、Cr或Mo。

作为本发明光掩模图案的修复方法的一种优化的方案，完成光掩模图案修复后还包括对所述光掩模进行清洗的步骤。

作为本发明光掩模图案的修复方法的一种优化的方案，采用流量为20～30L/min的去离子水对光掩模进行清洗。

作为本发明光掩模图案的修复方法的一种优化的方案，所述掩模图案的线宽范围为80～250nm。

作为本发明光掩模图案的修复方法的一种优化的方案，所述透明基板为玻璃基板。

作为本发明光掩模图案的修复方法的一种优化的方案，所述遮光层为Cr或Mo。

如上所述，本发明的光掩模图案的修复方法，包括步骤：提供光掩模，所述光掩模包括透明基板和位于所述透明基板上且具有掩模图案的遮光层，所述掩模图案具有待修复部分；刻蚀所述透明基板，在与所述待修复部分对应的位置形成与待修复部分图案相同的沟槽；沉积修复材料至所述沟槽中，修复所述光掩模图案。本发明通过在所述透明基板中制作沟槽并将修复材料填充在沟槽中，确保修复完成后，修复材料与透明基板稳固结合，使之可以经受高强度的清洗工艺，避免修复材料再次缺损，保证光掩模的可靠性，提高光掩模的产率。

附图说明

图1为现有技术的提供的待修复的光掩模俯视图。

图2为现有技术的提供的待修复的光掩模剖视图。

图3为现有技术的修复方法修复的光掩模俯视图。

图4为现有技术的修复方法修复的光掩模剖视图。

图5为本发明的光掩模图案修复方法的工艺流程图。

图6为本发明的光掩模图案修复方法提供的具有待修复部分的光掩模示意图。