[发明专利]有源矩阵基板、有源矩阵基板的制造方法和液晶显示装置

权利要求书

1.一种有源矩阵基板，其具备：基板；形成在所述基板上的具有2层以上的结构且各层的截面形状为锥形状的栅极电极；形成在该栅极电极上的其他层；和绝缘层，该有源矩阵基板的特征在于：

在所述基板上形成有薄膜晶体管，

所述薄膜晶体管具有：形成在所述基板上的所述栅极电极；形成在所述栅极电极上的栅极绝缘膜和沟道半导体层；和分别与所述沟道半导体层单独连接的源极电极和漏极电极，

在所述薄膜晶体管中，在所述栅极电极与所述栅极绝缘膜重叠的部分没有形成所述绝缘层，

所述栅极电极的端部具有帽檐状地突出的部分，

在所述基板的一部分区域中，

在该栅极电极的上表面没有设置所述绝缘层，所述上表面露出，

而在所述栅极电极中最上层的正下方的层的至少沿着长度方向的端面，所述绝缘层以与所述端面相接的方式设置在所述基板上，所述2层以上的结构的栅极电极的端面的凹的部分被所述绝缘层填埋。

2.如权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于：

在所述基板上形成有：与所述栅极电极连接的栅极配线；和与所述源极电极连接的源极配线，

所述绝缘层，在所述栅极配线与所述源极配线交叉的部分形成在所述栅极配线与所述源极配线之间。

3.如权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于：

在所述基板的一部分区域的所述栅极电极的端面，所述绝缘层以与所述端面相接的方式设置在所述基板上。

4.如权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于：

所述基板的一部分区域为所述基板的周围区域。

5.如权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于：

所述基板的一部分区域为所述基板的连接区域。

6.如权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于：

所述绝缘层的与所述栅极电极的端面相接的部分的厚度，具有与该绝缘层相接的部分的栅极电极的膜厚以下的高度。

7.如权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于：

与所述栅极电极的端面相接的所述绝缘层，从该端面起，至少在与所述基板平行的方向上，具有所述绝缘层的膜厚以上的宽度。

8.如权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于：

所述一部分区域包括所述栅极电极与其他部件电连接的端子区域。

9.如权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于：

所述基板为长方形，

所述一部分区域包括所述基板的4个周围中的至少一个周围。

10.如权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于：

所述绝缘层由含有有机成分的绝缘材料形成。

11.如权利要求10所述的有源矩阵基板，其特征在于：

所述绝缘层含有硅。

12.一种液晶显示装置，其特征在于：

其使用权利要求1所述的有源矩阵基板。

13.一种有源矩阵基板的制造方法，所述有源矩阵基板形成有薄膜晶体管作为开关元件，所述制造方法的特征在于，包括：

在基板上形成具有2层以上的结构、各层的截面形状为锥形状且端部具有帽檐状地突出的部分的栅极配线的图案的第一工序；

形成覆盖所述栅极配线的绝缘层的第二工序；

对所述绝缘层进行图案化的第三工序；和

在所述绝缘层的上层形成栅极绝缘膜和沟道半导体层的第四工序，

所述绝缘层由含有有机成分的绝缘材料形成，

所述绝缘层使用涂敷方法形成，

在所述薄膜晶体管中，在栅极电极与所述栅极绝缘膜重叠的部分不形成所述绝缘层，

在所述第三工序中，在所述栅极配线与其他部件电连接的区域，除去所述栅极配线的上表面的绝缘层，使所述上表面露出，并且

在所述区域中，使与所述栅极配线中最上层的正下方的层的端面相接的绝缘层残留，用所述绝缘层填埋所述2层以上的结构的栅极配线的端面的凹的部分。