[发明专利]FINFET结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201410222725.5 | 申请日： | 2014-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN104934472B | 公开（公告）日： | 2018-01-26 |
| 发明（设计）人： | 江国诚;陈冠霖;王昭雄;刘继文 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | finfet 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，包括：
衬底，由第一半导体材料形成；
鳍结构，从所述衬底上方突出，其中，所述鳍结构包括：
下部，由所述第一半导体材料形成；
中部，由第二半导体材料形成，所述鳍结构的中部包括氧化物外层；
上部，由所述第一半导体材料形成，其中，所述上部包括连接在第一源极/漏极区和第二源极/漏极区之间的沟道；和
第一碳掺杂层，形成在所述中部和所述上部之间；
第二碳掺杂层，形成在所述第一源极/漏极区下面；以及
第三碳掺杂层，形成在所述第二源极/漏极区下面。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：
栅极区，环绕所述鳍结构的所述沟道。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：
所述第一半导体材料是硅；以及
所述第二半导体材料是碳化硅锗(SiGeC)。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：
所述第一碳掺杂层由碳化硅(SiC)形成；
所述第二碳掺杂层由SiC形成；以及
所述第三碳掺杂层由SiC形成。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：
所述第二碳掺杂层由碳磷化硅(SiCP)形成；以及
所述第三碳掺杂层由SiCP形成。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：
所述第一源极/漏极区由磷化硅(SiP)形成；以及
所述第二源极/漏极区由SiP形成。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：
所述氧化物外层由SiGeOx形成，其中，x是以原子百分比计的氧组分。
8.一种半导体器件，包括：
衬底，包括硅；
鳍结构，从所述衬底上方突出，其中，所述鳍结构包括：
下部，由硅形成并且由隔离区环绕；
中部，由碳化硅锗形成，其中，所述中部由氧化物层包围；
上部，由硅形成，其中，所述上部包括沟道；和
碳化硅层，形成在所述中部和所述上部之间；
第一源极/漏极区，包括第一磷化硅区和在所述第一磷化硅区下面形成的第一碳化硅层；以及
第二源极/漏极区，包括第二磷化硅区和在所述第二磷化硅区下面形成的第二碳化硅层。
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中：
所述第一源极/漏极区的厚度在从30nm至50nm的范围内；以及
所述第二源极/漏极区的厚度在从30nm至50nm的范围内。
10.根据权利要求8所述的半导体器件，其中：
所述氧化物层包括SiGeOx，其中，x是以原子百分比计的氧组分。
11.根据权利要求8所述的半导体器件，其中：
所述碳化硅层的厚度在从5nm至15nm的范围内。
12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中：
以原子百分比计，所述碳化硅层的碳浓度为从0.5％至2％。
13.根据权利要求8所述的半导体器件，其中：
所述中部的锗浓度为从20％至45％；以及
所述中部的碳浓度为从0.5％至2％。
14.根据权利要求8所述的半导体器件，其中：
所述碳化硅层还包括磷。
15.根据权利要求14所述的半导体器件，其中：
所述碳化硅层的磷浓度在从1E20/cm3至5E20/cm3的范围内。
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