[发明专利]利用多晶硅、单晶硅切割废料制备氮化硅/碳化硅的方法

权利要求书

1.一种利用多晶硅、单晶硅切割废料制备氮化硅/碳化硅的方法，该方法利用多晶硅或单晶硅切割产生的废料为主要原料，添加多晶硅粉末，再添加氮化硅生长促进剂，经球磨、干燥后，在自蔓延反应炉中，在氮气气氛中点燃，生成氮化硅/碳化硅。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述的单晶硅或多晶硅废料的主要成分为硅和碳化硅。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述的添加的多晶硅粉末的质量为硅废料的30wt%-200wt%。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述的氮化硅生长促进剂为氧化铝、氧化镁、氧化钇、氧化镧、氧化铈、氮化硅镁、铁粉等的一种或几种。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述氮化硅生长促进剂的含量为硅废料的1wt%-20wt%。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述的球磨时间为1-100小时。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述的氮气气氛压力为1MPa-10MPa。