[发明专利]一种太阳电池及其制备方法

权利要求书

1.一种太阳电池，其特征在于：包括衬底，在所述衬底上依次叠加n⁺/ p⁺型a-Si：H发射层（2）、p^-/ n^-型多晶Si吸收层（3）和p⁺/ n⁺ 型a-Si：H被表面场（4）；p^-/ n^-型多晶Si吸收层（3）和p⁺/ n⁺ 型a-Si：H被表面场（4）覆盖n⁺/ p⁺型a-Si：H发射层（2）部分表面，留有发射槽（5）。

2.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于：所述衬底为玻璃衬底（1）。

3.权利要求2所述的太阳电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

1）玻璃制绒；

2）势垒层和减反层的沉积；

3）a-Si层的沉积；

4）多晶硅薄膜的制备，利用电子束蒸发晶化a-Si层得到多晶硅薄膜，或者利用PEVCD（等离子增强化学气相沉积）在覆盖了势垒层的玻璃衬底上直接沉积多晶硅薄膜；

5）快速热退火或激光退火以及氢钝化；

6）光学限制，利用PEVCD和铝诱导技术等在上表面沉积背表面电场层，并在沉积过程中进行原位掺杂；

7）电学限制；利用光刻、网丝印刷、电子束蒸发以及电子镀等制备出具有欧姆接触的前后电极

8）钝化。