[发明专利]超晶格含能材料的制备方法

权利要求书

1.一种超晶格含能材料的制备方法，其特征在于，包含以下步骤：

(1)将硅基底在丙酮中超声洗涤15～25分钟并水洗3～5次，干燥，然后安装在射频磁控溅射室内的镀膜样品台上，打开射频磁控溅射系统；

(2)将基础靶材和金属靶材安装到射频磁控溅射室内的两个射频靶位中，调节射频磁控溅射系统的真空度为5.0×10^-3Pa以下，通入纯度为99.9999％的Ar，体积流量为150～250SCCM；

(3)预先溅射基础靶材和金属靶材5～10分钟去除污垢和杂质；

(4)以溅射功率5～200W溅射基础靶材1～60分钟，在硅基底上形成一层基础靶材纳米膜；然后以溅射功率5～200W溅射金属靶材1～60分钟，在基础靶材纳米膜上形成一层金属靶材纳米膜；

(5)循环步骤(4)的溅射过程，获得不同周期数的超晶格含能材料。

2.根据权利要求1所述的超晶格含能材料的制备方法，其特征在于：所述基础靶材为PTFE靶材，所述金属靶材为Mg靶材、Al靶材、Si靶材中的任意一种。

3.根据权利要求1所述的超晶格含能材料的制备方法，其特征在于：所述超声洗涤的时间为20～25分钟，所述水洗次数为4～5次，所述真空度为1×10^-4Pa～4.4×10^-3Pa，所述体积流量为200～250SCCM。

4.根据权利要求3所述的超晶格含能材料的制备方法，其特征在于：所述超声洗涤的时间为20分钟，所述水洗次数为5次，所述真空度为1×10^-4Pa，所述体积流量为200SCCM。

5.根据权利要求1所述的超晶格含能材料的制备方法，其特征在于：所述金属靶材为Al靶材，所述基础靶材为PTFE靶材，溅射功率为50～100W，溅射时间为5～10分钟，溅射周期为5～200个周期。

6.根据权利要求1所述的超晶格含能材料的制备方法，其特征在于：所述金属靶材为Mg靶材，所述基础靶材为PTFE靶材，溅射功率为30～50W，溅射时间为10～20分钟，溅射周期为5～200个周期。

7.根据权利要求1所述的超晶格含能材料的制备方法，其特征在于：所述金属靶材为Si靶材，所述基础靶材为PTFE靶材，溅射功率为120～150W，溅射时间为15～20分钟，溅射周期为5～200个周期。