[发明专利]有机发光二极管显示器和像素在审
申请号: | 201410225027.0 | 申请日: | 2014-05-26 |
公开(公告)号: | CN104183623A | 公开(公告)日: | 2014-12-03 |
发明(设计)人: | 赵泳敏 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 孙昌浩;谭昌驰 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示器 像素 | ||
技术领域
在此描述的一个或多个实施例涉及一种显示装置。
背景技术
有机发光二极管(OLED)显示器使用多个像素以产生图像。每个像素包括在阳极和阴极之间的有机发光层。从阴极注入的电子和从阳极注入的空穴在有机发光层结合以形成激子。当激子从激发态跃迁到稳态或基态时发射光。
已经提出各种方法用于制造OLED显示器。一种方法使用激光以形成用于对应像素的彩色(例如,红、绿和蓝)发光层。该方法经常被称作激光诱导热成像(LITI)。
在LITI方法过程中,激光束通过掩模图案照射在供体膜上。供体膜由基体膜和转印层形成。当照射时,掩模图案通过转印层被转印以形成发光层。通过该方法,可以将每个发射层精细地图案化。另外,LITI方法是可以被证明有益于一些应用的干法工艺。
然而,LITI方法不是没有缺点。例如,在制造过程中,供体膜被设置并且结合到基底。在真空结合期间,供体膜会移动或移位。更具体地讲,当在结合过程中供体膜的有机材料被转印到突出部分时,有机材料可能移位和/或可能不能保留在供给膜上。当供体膜向发光区域移动时,有机材料可能不能被转印到发光区域。因此,可能形成有缺陷的像素。
发明内容
根据一个实施例,一种有机发光二极管显示器包括:基底;第一晶体管,位于基底上;第一电极,连接到第一晶体管;像素限定层,位于第一电极上并且具有暴露第一电极的开口;间隔物,位于开口处;有机发射层,位于暴露的第一电极上;以及第二电极,位于有机发射层上。存储电容器可以位于基底上并与开口叠置。间隔物可以与存储电容器叠置。
间隔物可以在存储电容器的边界线内。间隔物可包括与像素限定层相同的材料。有机发射层可以通过转印方法形成。
所述显示器可以包括面向基底并且包封有机发射层的包封基底。所述显示器可以包括:扫描信号线,位于基底上;数据线,与扫描信号线绝缘并且与扫描信号线交叉;以及第二晶体管,连接到扫描信号线、数据线和第一晶体管。第一晶体管的源电极可以连接到驱动电压线,以及第一晶体管的源电极可以连接到第二晶体管的漏电极。
第三晶体管可以位于基底上,其中,第一晶体管的漏电极连接到第三晶体管的源电极,第一电极连接到第一晶体管的漏电极。第三晶体管可以包括在半导体和第三晶体管的栅电极之间的第一栅绝缘层,以及第一晶体管可以包括在半导体和第一晶体管的栅电极之间的第一栅绝缘层和位于第一栅绝缘层上的第二栅绝缘层。第二栅绝缘层覆盖第三晶体管的栅电极。
所述显示器可以包括具有位于第一栅绝缘层上的第一电容器集电板和位于第二栅绝缘层上并且与第一电容器集电板叠置的第二电容器集电板的存储电容器。第一电容器集电板可以包括与第三晶体管的栅电极相同的材料,以及第二电容器集电板可以包括与第一晶体管的栅电极相同的材料。
根据另一实施例,一种像素包括:像素限定层,具有开口;有机发光器件,位于开口中;以及间隔物,位于开口中并与有机发光器件相邻,其中,间隔物的上表面在有机发光器件的上表面的上方。所述像素可以包括存储电容器,其中,所述开口与存储电容器叠置。有机发光器件可以与存储电容器叠置。
有机发光器件可以包括位于第一电极和第二电极之间的有机发射层。像素限定层和间隔物可以具有基本上相同的厚度,间隔物的上表面可以在像素限定层的上表面的上方。间隔物可以与像素限定层分隔开。
附图说明
通过参照附图详细地描述示例性实施例,对本领域技术人员来说特征将变得明显,在附图中:
图1示出OLED显示器的像素的实施例;
图2示出该像素的布局图的示例;
图3和图4示出分别沿着图2中的III-III线和IV-IV线截取的剖视图;
图5和图6示出根据制造OLED显示器的方法的一个实施例的利用供体膜的有机发射层的转印;
图7和图8示出通过LITI方法制造的OLED显示器;以及
图9和图10示出与激光诱导热成像方法的实施例对应的OLED显示器的剖视图。
具体实施方式
在下文中参照附图更充分地描述示例实施例;然而,这些示例实施例可以以不同的形式来实施,而不应该被理解为局限于在此提出的实施例。而是,提供这些实施例使得本公开将是彻底的且完整的,并将把示例性实施方式充分地传达给本领域的技术人员。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的