[发明专利]一种高功率输入耦合器

权利要求书

1.一种高功率输入耦合器，其特征在于高功率输入耦合器的输出端经一含有Choke结构的高频窗体与一同轴线缆连接；其中，所述Choke结构包括内导体Choke结构、外导体Choke结构和同轴平板陶瓷片；内导体Choke结构和外导体Choke结构分别包括位于该同轴平板陶瓷片两侧的上端和下端；内导体Choke结构的上端、下端分别与输出端同轴线缆的内导体密封电连接且通过一同轴金属框与该同轴平板陶瓷片密封连接，外导体Choke结构的上端、下端分别与输出端同轴线缆的外导体密封电连接且通过一同轴金属框与该同轴平板陶瓷片密封连接。

2.如权利要求1所述的高功率输入耦合器，其特征在于包括一调谐装置，其包括输入端、短路端和所述输出端；所述调谐装置为一双导体结构，包括彼此绝缘的内层导体盒和外层导体盒，该内层导体盒的输入端口与输入端同轴线缆的内导体密封电连接、该内层导体盒的短路端口与短路端同轴线缆的内导体密封电连接、该内层导体盒的输出端口与输出端同轴线缆的内导体密封电连接；该外层导体盒的输入端口与输入端同轴线缆的外导体密封电连接、该外层导体盒的短路端口与短路端同轴线缆的外导体密封电连接、该外层导体盒的输出端口与输出端同轴线缆的外导体密封电连接。

3.如权利要求2所述的高功率输入耦合器，其特征在于所述短路端同轴线缆的内外导体之间设有一短路活塞。

4.如权利要求3所述的高功率输入耦合器，其特征在于所述短路活塞通过螺纹结构在所述短路端同轴线缆的内、外导体之间前后可调。

5.如权利要求1所述的高功率输入耦合器，其特征在于连接所述外导体Choke结构的上端、下端的同轴金属框外侧设有一第二同轴圆柱筒，其与所述外导体Choke结构的上端、下端密封连接且设有冷却水进水口和出水口。

6.如权利要求1～5任一所述的高功率输入耦合器，其特征在于所述调谐装置为T型调谐装置，其输入端与短路端位于同一轴线上，输出端的轴线与输入端的轴线垂直。

7.如权利要求1～5任一所述的高功率输入耦合器，其特征在于所述内导体Choke结构、外导体Choke结构分别为与输出端的轴线同轴的圆柱形结构。

8.如权利要求2或3所述的高功率输入耦合器，其特征在于所述短路端的同轴线缆的内导体内通有两根水冷管道为输出端内导体提供冷却水回路。

9.如权利要求1～5任一所述的高功率输入耦合器，其特征在于所述输出端的同轴线缆特性阻抗为50欧姆；所述同轴平板陶瓷片为氧化铝陶瓷片，其真空面镀TiN膜，膜厚为5-10nm。

10.如权利要求1～5任一所述的高功率输入耦合器，其特征在于所述高频窗体附近设定区域内分别设置真空监控端口、ARC打火监控端口和电子流监控端口。