[发明专利]一种薄膜太阳能电池的生产方法及其电沉积装置

权利要求书

1.一种薄膜太阳能电池的生产方法，包括如下步骤：

(a)在玻璃基底上形成透明导电层；

(b)在所述透明导电层上形成窗口层；

(c)接触电极穿透所述窗口层与所述透明导电层欧姆接触；

(d)在步骤(c)中的所述透明导电层上，与所述接触电极相邻位置、贯通所述透明导电层和所述窗口层进行划沟槽工序得到第一沟槽；

(e)将步骤(d)中获得的半成品放置于电沉积槽内，对所述接触电极和对电极进行通电，在所述窗口层上电沉积吸收层并同时填充所述第一沟槽；

(f)在步骤(e)的所述吸收层上形成背接触层或在背接触层上还继续形成背电极层；

(g)移除所述接触电极，所述接触电极为顶针接触电极或长条接触电极，所述长条接触电极的长边与所述第一沟槽的长边延伸方向相同；当所述接触电极为顶针接触电极时，移除所述接触电极后在该半成品上形成的接触电极空缺为顶针孔，与所述第一沟槽平行穿过所述顶针孔进行划沟槽工序得到第二沟槽；当所述接触电极为长条接触电极时，移除所述接触电极后在该半成品上形成的接触电极空缺为长条形沟槽，所述长条形沟槽为第二沟槽并与所述第一沟槽平行；

(h)当步骤(f)中所述吸收层上只形成背接触层时，填充在步骤(g)中获得的半成品的所述第二沟槽后再形成背电极层或在步骤(g)中获得的半成品上同时形成背电极层和填充所述第二沟槽；

当步骤(f)中所述吸收层上在形成背接触层后在背接触层上还继续形成背电极层时，填充在步骤(g)中获得的半成品的所述第二沟槽；

(i)对步骤(h)中获得的半成品的所述吸收层上，与所述第二沟槽平行且相邻位置、贯通所述背电极层进行划沟槽工序得到第三沟槽；

(j)对步骤(i)中获得的半成品进行电池封装。

2.根据权利要求1所述薄膜太阳能电池的生产方法，其特征在于，步骤(f)中的背接触层或在背接触层上还继续形成背电极层都是通过蒸发或溅射或电沉积形成。

3.根据权利要求1所述薄膜太阳能电池的生产方法，其特征在于，步骤(h)中的背电极层通过蒸发或溅射或电沉积形成在所述背接触层和所述第二沟槽内。

4.根据权利要求2或3所述薄膜太阳能电池的生产方法，其特征在于，背电极层通过电沉积方式形成的，在电沉积时背电极层与所述透明导电层欧姆接触。

5.根据权利要求4所述薄膜太阳能电池的生产方法，其特征在于，在步骤(e)之后且步骤(f)之前对所述吸收层进行退火处理。

6.根据权利要求1所述薄膜太阳能电池的生产方法，其特征在于，所述长条接触电极的接触长边的长度大于或等于所述第一沟槽的长边长度。

7.根据权利要求1所述薄膜太阳能电池的生产方法，其特征在于，所述长条接触电极垂直于所述长边方向的截面为圆形、方形、倒三角或梯形的一种。

8.根据权利要求7所述薄膜太阳能电池的生产方法，其特征在于，所述长条接触电极在端部连接通电时，步骤(g)中的所述长条接触电极空缺通过向远离所述玻璃基底方向撕除所述长条接触电极获得。

9.根据权利要求1所述薄膜太阳能电池的生产方法，其特征在于，所述长条接触电极长度方向上的侧面为平面或曲面。

10.根据权利要求1所述薄膜太阳能电池的生产方法，其特征在于，用于形成所述背电极层的材料为透明导电材质。

11.根据权利要求1所述薄膜太阳能电池的生产方法，其特征在于，步骤(j)为：对称设置步骤(i)中获得的两件半成品，两件半成品之间设置太阳能电池封装膜。

12.根据权利要求11所述薄膜太阳能电池的生产方法，其特征在于，所述太阳能电池封装膜为乙烯-醋酸乙烯共聚物。

13.一种用于权利要求1-12任一所述薄膜太阳能电池生产方法的电沉积装置，其特征在于，其包括

电沉积槽，其中充满电解液；

长条接触电极，设置在所述电沉积槽内与待电沉积表面电连接；

对电极，与所述长条接触电极形成电连通；

所述长条接触电极与所述待电沉积表面欧姆接触且为面接触，所述长条接触电极与所述透明导电层的接触面为长条形，所述长条接触电极在垂直于所述待电沉积表面的截面为圆形、方形、倒三角形或梯形的一种；

所述长条接触电极平行设置在所述待电沉积表面第一沟槽相邻的位置上。