[发明专利]三维孔结构的测量装置与测量方法

说明书

本发明提出了一种三维孔结构的测量装置与测量方法，是基于角谱测量技术对高深宽比三维孔结构的形貌参量测量的装置与方法，能够探测待测的三维孔结构的衍射光，即实现全角谱的测量，获取的孔底面衍射光信号有利于对三维孔结构形貌的求解，测得的角谱有利于判断三维孔结构形貌的非对称性，以提高孔测量技术对孔工艺状况的测量能力，提高测量精度。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种三维孔结构的测量装置与测量方法。

背景技术

随着以3D-TSV(三维孔结构)技术为代表的先进封装技术的迅速发展，大深宽比的硅片穿孔工艺成为影响硅片良率的重要环节。由于孔图形，尤其是其底部和侧壁难以通过光学方式测量，传统的测量方式一般通过切片、打磨的破坏性方式，使孔的横截面暴露出来，再使用电镜等方式进行测量。这种测量方式不仅将破坏样品，也无法应用于在线快速测量，以实现孔工艺的实时监测。因此，亟需找到一种非破坏性、快速测量孔形貌的方式。

现有的测量技术包括了红外显微镜、白光干涉仪、共焦显微镜以及暗场散射测量等。其中，红外显微镜由于波长较长，使其垂向和水平向的分辨率都受到限制。白光干涉仪具有良好的垂向分辨率，非常适合对孔的孔深进行测量，但其水平向分辨率很差，无法进行孔径和侧壁角的测量。共焦显微镜虽然有很高的垂向和水平向分辨率，但其垂向扫描速度慢，且无法对孔进行有效测量。随着孔尺寸的日益缩小，目前先进的孔技术的孔径已经小于5微米，深宽比的不断扩大，最大的深宽比接近10:1，基于光学成像以及光学干涉技术的测量技术由于分辨率和测量精度等原因已逐步无法适应孔的测量需求。

专利WO2012098550A1提出了一种基于暗场的散射测量技术，该技术通过偏振调制或瞳面光强调制等手段，阻挡入射光方向的镜面反射光到达接收端，实现对孔侧壁角衍射光的高信噪比测量。基于散射测量技术的光学测量方法，可以突破光学分辨率的极限，也不受相干条件的苛刻限制，可从光学衍射信号光强的细微变化获得孔3D形貌的参量情况，正逐步成为一种新兴的测量微米及亚微米尺寸孤立图形3D形貌的有效手段。

然而，虽然该测量技术可有效增强孔侧壁衍射光信号的信噪比，但孔上表面和底面衍射光被直接舍弃，将造成了信号损失。其次，该方案提出了一种基于光谱探测的暗场测量方案，无法测得孔衍射光信号的角谱信号，但角谱信号直接反映了孔对称性的信息，可有效地表征孔的工艺状况。因此，有必要找到一种孔3D图形的测量装置与方法，可以同时实现对其上表面、底部镜面反射光的测量以及侧壁衍射光的测量，同时测得侧壁衍射光的角谱，以提高孔测量技术对孔工艺状况的测量能力，提高测量精度。

发明内容

本发明的目的在于提供一种三维孔结构的测量装置与测量方法，能够实现对三维孔结构所有方向衍射光的测量，获取的孔底面反射信号有利于三维孔结构形貌的求解，以提高孔测量技术对孔工艺状况的测量能力，提高测量精度。

为了实现上述目的，本发明提出了一种三维孔结构的测量装置，所述装置包括：

一物镜，用于将光源发出的测量光照射至待测的三维孔结构上；

一探测器，位于所述物镜的后焦面或后焦面的共轭面，用于探测待测的三维孔结构衍射光的角谱。

进一步的，在所述的三维孔结构的测量装置中，所述装置还包括照明系统、分束镜和成像系统，所述光源发出测量光经过所述照明系统和分束镜折转后进入所述物镜，所述物镜收集待测的三维孔结构的衍射光，所述成像系统将所述衍射光成像至所述探测器上。

进一步的，在所述的三维孔结构的测量装置中，所述装置还包括一光强调制机构，所述光强调制机构位于所述物镜与探测器之间，用于调制所述衍射光的角谱光强分布。

进一步的，在所述的三维孔结构的测量装置中，所述光强调制机构位于所述物镜的后焦面或其共轭面。

进一步的，在所述的三维孔结构的测量装置中，所述光强调制机构位于所述物镜的瞳面。