[发明专利]集成电路硅片分割方法

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路硅片封装领域，特别是涉及一种集成电路硅片分割方法。

背景技术

目前硅片分割主要是通过划片方法来分割，划片工艺方法是把硅片用划片机切割成单个芯片，再用分片机或手工将芯片分开。分割芯片时采用金刚刀划片，但是金刚刀划片时易产生芯片边缘崩缺，可能接触到芯片保护环，甚至损伤芯片。

随着集成电路硅片制造工艺的不断发展，集成电路单位面积上芯片的数量越来越多，单位面积芯片制作的成本越来越低。为了降低成本，减小划片槽宽度是有效可行的方法之一，但带来的是分割芯片工艺的挑战，随着划片槽越来越窄，传统金刚刀分割芯片的方法受到越来越多限制。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种集成电路硅片分割方法，能够将芯片分割开，且芯片边缘整齐，无崩缺、裂纹等缺陷。

为解决上述技术问题，本发明的集成电路硅片分割方法，包括如下步骤：

步骤一、通过蚀刻工艺方法将硅片划片槽内的介质材料蚀刻掉；

步骤二、通过硅穿孔工艺方法将硅片划片槽内硅材料蚀刻掉，介质材料和硅材料蚀刻后，在划片槽内形成一定深度的沟道；

步骤三、在硅片正面贴上研磨UV膜(晶背研磨用紫外光膜)，通过减薄工艺方法将硅片减薄到适合封装的厚度，使附在研磨UV膜上的芯片自然分割开；

步骤四、对分割开的硅片进行倒膜，在硅片背面贴上绷架UV膜，并对硅片研磨UV膜进行紫外光照射，使得研磨UV膜黏性下降；

步骤五、撕掉硅片研磨UV膜，得到已分割的芯片供后道工序封装。

采用本发明方法，能使划片槽刻蚀整齐光滑，芯片边缘无崩缺、裂纹等缺陷，可以实现无损伤分割芯片，保证芯片质量。

采用本发明的方法，省去了划片步骤，降低了划片周期和成本，大大提高了生产效率。

附图说明

下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：

图1-5是所述集成电路硅片分割方法一实施例示意图；

图6是所述集成电路硅片分割方法流程示意图。

具体实施方式

参见图1-5并结合图6所示，所述集成电路硅片分割方法在下面的实施例中，具体步骤如下：

步骤一、通过蚀刻工艺将硅片划片槽中介质材料蚀刻掉(结合图2所示)；所述硅片由介质材料1和硅材料2组成(结合图1所示)，所述划片槽中介质材料为金属层的介电质，如二氧化硅和氮化硅等介质层。

步骤二、通过硅穿孔工艺方法将硅片划片槽内硅材料蚀刻掉，介质材料和硅材料蚀刻后，在划片槽内形成一定深度的沟道(结合图3所示)，沟道深度约为180μm～200μm。所述硅穿孔工艺方法为深反应离子蚀刻工艺方法，能够将硅片深挖一定深度，该深度需大于减薄后的硅片厚度，在划片槽区域形成“深沟道”。

步骤三、在硅片正面贴上研磨UV膜4，通过减薄工艺方法将硅片减薄到适合封装的厚度，约为150μm～170μm，附在研磨UV膜4上的电路芯片自然分割开(结合图4所示)。所述减薄工艺方法为粗磨和细磨，将硅片减薄到适合封装的厚度。

步骤四、对分割开的硅片进行倒膜，在硅片背面贴上绷架UV膜5(结合图5所示)，并对硅片研磨UV膜进行紫外光照射，通过紫外光照射使得研磨UV膜黏性下降。

步骤五、撕掉硅片研磨UV膜，得到已分割的芯片供后道封装。

图1-5中，3表示光阻。

以上通过具体实施方式对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本发明的保护范围。