[发明专利]像素电路、像素电路的驱动方法和显示装置有效

专利信息
申请号: 201410226754.9 申请日: 2014-05-26
公开(公告)号: CN104036724B 公开(公告)日: 2016-11-02
发明(设计)人: 谭文;祁小敬 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
主分类号: G09G3/3233 分类号: G09G3/3233;G09G3/3266
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 许静;黄灿
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 像素 电路 驱动 方法 显示装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及显示技术领域,尤其涉及像素电路、像素电路的驱动方法和显示装置。

背景技术

基本的AMOLED(Active Matrix/Organic Light Emitting Diode,有源矩阵有机发光二极管)像素驱动电路为2T1C像素驱动电路,结构简单。但是基于LTPS(Low Temperature Poly-silicon,低温多晶硅技术)的AMOLED像素驱动电路,由于LTPS存在阈值电压均一性差等问题,所以在AMOLED的像素设计中需要增加驱动TFT(Thin Film Transistor,薄膜场效应晶体管)阈值电压补偿的电路。具有阈值电压补偿的AMOLED像素驱动电路的常见设计需要6T1C像素驱动电路或者5T2C像素驱动电路,或者需要更多的TFT和/电容。TFT和/或电容数量的增加,将占用较大的布局空间,不利于AMOLED像素尺寸的缩小,即限制了高PPI(Pixel Per Inch,每英寸所拥有的像素数目)的AMOLED像素驱动电路的发展。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种像素电路、像素电路的驱动方法和显示装置,增加像素的开口率,从而在获得均匀显示的同时,降低有机发光层的电流密度。

为了达到上述目的,本发明提供了一种像素电路,包括多行像素单元,每一行像素单元包括多个子像素单元;每一所述子像素单元包括子像素驱动电路和发光元件,该子像素驱动电路包括与所述发光元件连接的驱动晶体管和分别与一数据线和该驱动晶体管连接的驱动控制模块;每一行像素单元还包括行共用单元;

所述多个子像素单元均与第一信号线和第二信号线连接;

所述行共用单元与该行像素单元包括的每一子像素单元通过所述第一信号线和所述第二信号线连接,以具有阈值补偿功能。

实施时,所述子像素单元设置于有效显示区内,所述行共用单元设置于有效显示区外。

实施时,所述驱动晶体管,第一极与所述发光元件的第一端连接,第二极与所述第一信号线连接;所述发光元件的第二端与所述第二信号线连接;

所述驱动控制模块分别与该驱动晶体管的栅极、第一极和第二极连接;

所述驱动控制模块还与一扫描线连接;

所述行共用单元包括接入初始控制信号的初始模块和接入发光控制信号的发光控制模块;

所述初始模块,与所述第一信号线连接,用于当所述初始控制信号和所述扫描线上的扫描信号同时有效时通过所述驱动控制模块将所述驱动晶体管的栅极电位设置为初始电平;

所述发光控制模块,用于在发光控制信号有效时控制所述第一信号线接入第一电平并所述第二信号线接入第二电平;

所述驱动控制模块,用于当所述扫描信号有效时,控制所述数据线上的数据电压写入所述驱动晶体管,当所述发光控制信号有效时控制所述驱动晶体管驱动所述发光元件发光并补偿该驱动晶体管的阈值。

实施时,所述驱动控制模块包括数据写入晶体管、驱动控制晶体管和存储电容,其中,

所述数据写入晶体管,栅极与所述扫描线连接,第一极与所述数据线连接,第二极与所述驱动晶体管的第一极连接;

所述驱动控制晶体管,栅极与所述扫描线连接,第一极与所述驱动晶体管的栅极连接,第二极与所述驱动晶体管的第二极连接;

所述存储电容,第一端与所述驱动晶体管的第一极连接,第二端与所述驱动晶体管的栅极连接。

实施时,所述初始模块包括:

初始化晶体管,栅极接入所述初始控制信号,第一极与所述第二信号线连接,第二极接入初始电平。

实施时,所述发光控制模块包括:

第一发光控制晶体管,栅极接入所述发光控制信号,第一极接入第一电平,第二极与所述第一信号线连接;

第二发光控制晶体管,栅极接入所述发光控制信号,第一极与所述第二信号线连接,第二极接入所述第二电平。

本发明还提供了一种像素电路的驱动方法,应用于上述的像素电路,所述像素电路的驱动方法包括:

初始化步骤:在初始化阶段,初始控制信号和扫描线上的扫描信号同时有效,驱动控制晶体管开启,数据电压写入驱动晶体管的第一极,初始模块通过所述驱动控制晶体管将所述驱动晶体管的栅极电位设置为初始电平;

补偿步骤:在补偿阶段,所述扫描信号有效,数据写入晶体管和驱动控制晶体管开启,数据电压写入驱动晶体管的第一极,所述驱动晶体管的栅极的电位通过存储电容放电,以补偿驱动晶体管的阈值电压;

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