[发明专利]一种辐射加热元件、辐射加热器及MOCVD反应器在审

专利信息
申请号: 201410227024.0 申请日: 2014-05-27
公开(公告)号: CN104046965A 公开(公告)日: 2014-09-17
发明(设计)人: 罗才旺;魏唯;陈特超;舒勇东 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第四十八研究所
主分类号: C23C16/48 分类号: C23C16/48;C23C16/18
代理公司: 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 代理人: 马强
地址: 410111 湖南*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 一种 辐射 加热 元件 加热器 mocvd 反应器
【权利要求书】:

1. 一种辐射加热元件,由加热片(17)以轴线对称方式绕制而成,其特征是,所述加热片(17)的截面为异型截面。

2.根据权利要求1所述辐射加热元件,其特征是,所述加热片(17)的截面为U型。

3.根据权利要求1所述辐射加热元件,其特征是,所述加热片(17)的截面为V型。

4.根据权利要求1所述辐射加热元件,其特征是,所述加热片(17)的截面为梯型。

5.一种辐射加热器,包括辐射加热元件、电极连接元件(16)和设在辐射加热元件外侧的隔热屏蔽组件,其特征是,所述辐射加热元件采用权利要求1-4之一所述辐射加热元件,所述隔热屏蔽组件包括多层热屏蔽板,每层热屏蔽板为整板或由多块热屏蔽板(18)拼接而成;所述辐射加热元件与对应的电极连接元件(16)连接。

6.根据权利要求5所述辐射加热器,其特征是,辐射加热元件经支撑件支撑而置于隔热屏蔽组件上方。

7.一种MOCVD反应器,包括反应器壳体(8)、反应器壳体(8)顶面的多组气体接口(1,2,3,4)、反应器壳体(8)内上部用于放置基片(15)的基片载盘(5)、基片载盘(5)下方的加热器,所述基片载盘(5)的底部中心设有旋转支撑轴(11),其特征是,所述加热器为权利要求5-6之一所述辐射加热器,所述辐射加热器分布于旋转支撑轴(11)的外侧;所述加热器的外周还设有竖向热屏蔽板(9),竖向热屏蔽板(9)的顶端置于辐射加热元件与基片载盘(5)之间,而竖向热屏蔽板(6)的底端与反应器壳体(8)的底面连接。

8.根据权利要求7所述MOCVD反应器,其特征是,所述辐射加热器中的辐射加热元件包括置于旋转支撑轴(11)外侧的纵向设置的内圈辐射加热元件(12)、置于基片载盘(5)下方且水平设置的中圈辐射加热元件(13)、置于中圈辐射加热元件(13)外侧的外圈辐射加热元件(14),所述中圈辐射加热元件(13)与外圈辐射加热元件(14)均置于内圈辐射加热元件(12)的上方。

9.根据权利要求7所述MOCVD反应器,其特征是,所述内圈辐射加热元件(12)的截面形状为波浪形,所述中圈辐射加热元件(13)与外圈辐射加热元件(14)的截面均为圆弧形。

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