[发明专利]一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制备方法和显示器件

权利要求书

1.一种低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

S1、在衬底基板上依次制作缓冲层、有源层、栅绝缘层和栅极，形成源漏区域；

S2、沉积层间介质层，经过图案化处理形成源漏区域的接触孔；

S3、同时进行离子激活和氢化处理；

S4、沉积源漏金属层，经过图形化处理得到源极和漏极。

2.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，步骤S1具体包括：

S11、在衬底基板上沉积缓冲层；

S12、在缓冲层上方沉积非晶硅层，并使非晶硅层经过晶化处理成为多晶硅，再对多晶硅进行图案化处理形成有源层；

S13、在有源层上方沉积形成栅绝缘层；

S14、在栅绝缘层上方沉积栅极金属层，经过图案化处理形成栅极；

S15、通过离子注入形成源漏区域。

3.如权利要求2所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，形成缓冲层、非晶硅层以及栅绝缘层均采用等离子体增强化学气相沉积法制作。

4.如权利要求2所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述晶化处理采用准分子激光退火设备进行处理。

5.如权利要求2所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，栅极金属层和源漏金属层的材料为钼、铝、钛之一，或者为钼、铝、钛中任意两者以上构成的复合材料。

6.如权利要求2所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述离子注入时注入的离子为硼离子或者磷离子。

7.如权利要求1-6中任一项所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述缓冲层为氧化硅和氮化硅复合薄膜。

8.如权利要求1-6中任一项所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述层间介质层为氧化硅和氮化硅复合薄膜。

9.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，步骤S3具体包括：

进行氮等离子处理的同时进行低温退火。

10.如权利要求9所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，低温退火的温度为350-500℃，低温退火的时间为20-40分钟。

11.一种采用权利要求1-10任一项所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法得到的低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，所述低温多晶硅薄膜晶体管包括缓冲层、有源层、栅绝缘层、栅极、层间介质层、源极和漏极。

12.一种显示器件，其特征在于，包括权利要求11所述的低温多晶硅薄膜晶体管。