[发明专利]硅片上各芯片的电容参数的测量方法

权利要求书

1.一种硅片上各芯片的电容参数的测量方法，包括：

预调零步骤：选取一片测试硅片，将电容表的测量探针依次移至所述测试硅片上各芯片的上方进行一轮非接触的空测，获得当前测量环境下所述测试硅片上不同位置的各所述芯片的零电容数据；

正式测量步骤：提供待测硅片，将所述测量探针分别接触所述待测硅片上的各芯片进行正式测量，每测量一个所述芯片，就将测得值减去与所述测试硅片上同样位置的所述芯片的所述零电容数据，得到所述待测硅片上各个被测的芯片的实际电容参数值。

2.根据权利要求1所述的电容参数的测量方法，其特征在于，还包括：

比较判定步骤：将各个被测的所述芯片经过运算调零后的所述实际电容参数值分别与规范值进行比较，判定所述芯片是否合格，并作为数据记录保存起来。

3.根据权利要求2所述的电容参数的测量方法，其特征在于，在所述预调零步骤中，在进行非接触的空测时，所述测量探针位于所述测试硅片上各所述芯片上方的距离为5～20微米。

4.根据权利要求3所述的电容参数的测量方法，其特征在于，所述电容参数的电容值为1pF以下。

5.根据权利要求4所述的电容参数的测量方法，其特征在于，所述测试硅片和所述待测硅片为6英寸、8英寸、12英寸或者18英寸直径的硅片。