[发明专利]一种太阳能硅片电阻率电涡流测试方法

权利要求书

1.一种太阳能硅片电阻率电涡流测试方法，适用于单晶和/或多晶太阳能硅片的非接触测试，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一，电涡流激励器f1激励太阳能硅片并在太阳能硅片表面形成涡流，电涡流传感器感应所述涡流生成电流信号和电压信号；

步骤二，高频变压器采集步骤一中的电压信号，无感电阻采集步骤一中的电流信号；

步骤三，第一差频器将高频振荡源f2与步骤二中电压信号差频后得到中频电压信号，第二差频器将高频振荡源f2与步骤二中电流信号差频后得到中频电流信号；

步骤四，将步骤三中的中频电压信号依次经过第一中频放大器进行中频放大、第一检波及低通电路进行滤除交流分量、第一直流放大器进行放大和模数转换器转换，最后得到电压的模拟量V；

步骤五，将步骤三中的中频电流信号依次经过第二中频放大器进行中频放大、第二检波及低通电路进行滤除交流分量、第二直流放大器进行放大和模数转换器转换，最后得到电流的模拟量i；

步骤六，将步骤四和步骤五中电压的模拟量V和电流的模拟量i根据以下公式计算出太阳能硅片的电阻率：

ρ=(Vi·LAM)t]]>

其中，L为涡流的圆形长度，A为涡流的面积，M为电涡流激励器f1激励与硅片电涡流之间的耦合系数，t为太阳能硅片的厚度。

2.根据权利要求1所述的太阳能硅片电阻率电涡流测试方法，其特征在于，所述步骤一中电涡流传感器为线圈和电容并联的谐振回路。

3.根据权利要求1所述的太阳能硅片电阻率电涡流测试方法，其特征在于，所述步骤一中电涡流激励器f1生成频率为2.725Mhz～2.775Mhz，幅度为1.5Vp-p±2mV的高频正弦波信号。

4.根据权利要求1所述的太阳能硅片电阻率电涡流测试方法，其特征在于，所述步骤一中电涡流激励器f1的输入端连接有f1自动幅度控制器。

5.根据权利要求1所述的太阳能硅片电阻率电涡流测试方法，其特征在于，所述步骤三中高频振荡源f2生成频率大于f1465Khz的高频正弦波信号。

6.根据权利要求1所述的太阳能硅片电阻率电涡流测试方法，其特征在于，所述步骤三中高频振荡源f2的输入端连接有f2幅度控制器。