[发明专利]一种化学机械研磨后的清洗装置有效
申请号: | 201410228259.1 | 申请日: | 2014-05-27 |
公开(公告)号: | CN103985658B | 公开(公告)日: | 2016-10-26 |
发明(设计)人: | 丁弋;朱也方 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;林彦之 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 化学 机械 研磨 清洗 装置 | ||
1.一种化学机械研磨后的清洗装置,包括兆声波水槽和所述水槽中设置的用于夹持并固定晶圆的滚筒,其特征在于,所述滚筒包括法兰形的第一滚筒部分和第二滚筒部分,二个所述滚筒部分通过其法兰形的法兰管部相互活动套接,在二个所述滚筒部分的法兰管套接面设有轴向移动导向结构,所述第一滚筒部分通过其法兰形的法兰口部外接滚筒转动驱动单元,所述第二滚筒部分通过其法兰形的法兰口部外接移动驱动单元;其中,所述滚筒移动驱动单元带动所述第二滚筒部分作与所述第一滚筒部分的轴向相对移动,并通过调整位移量,将所述晶圆的边部夹持和固定在二个所述滚筒部分的法兰形法兰口部之间,所述滚筒转动驱动单元带动所述第一滚筒部分作径向转动,同时,所述第一滚筒部分通过所述轴向移动导向结构带动所述第二滚筒部分作同步转动。
2.如权利要求1所述的清洗装置,其特征在于,相套接的二个所述滚筒部分法兰形的法兰管中,位于内侧的所述法兰管的长度大于位于外侧的所述法兰管的长度。
3.如权利要求2所述的清洗装置,其特征在于,位于内侧的所述法兰管的末端设有限位块。
4.如权利要求1所述的清洗装置,其特征在于,所述第一滚筒部分的法兰形法兰口部为中空结构,相套接的二个所述滚筒部分法兰形的法兰管中,位于内侧的所述法兰管的长度大于位于外侧的所述法兰管的长度,位于内侧的所述法兰管伸入所述第一滚筒部分的中空法兰形法兰口部内,其伸入部分的末端设有限位块。
5.如权利要求1所述的清洗装置,其特征在于,所述轴向移动导向结构为在二个所述滚筒部分的二个法兰管套接面分别对应设有的相配合的导槽和导块结构。
6.如权利要求5所述的清洗装置,其特征在于,所述相配合的导槽和导块结构为1~3组。
7.如权利要求1所述的清洗装置,其特征在于,所述第二滚筒部分通过其法兰形的法兰口部转动外接移动驱动单元。
8.如权利要求8所述的清洗装置,其特征在于,所述第二滚筒部分通过其法兰形的法兰口部中心转动外接移动驱动单元。
9.如权利要求1~8任意一项所述的清洗装置,其特征在于,所述滚筒为至少3个。
10.如权利要求9所述的清洗装置,其特征在于,每个所述滚筒各自的套接后的二个所述滚筒部分的法兰形法兰口部的最小间距大于所述晶圆厚度,且各所述滚筒的所述第一滚筒部分的法兰形法兰口部的内表面位于同一平面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造