[发明专利]具有高效率的无桥PFC功率变换器无效
申请号: | 201410228723.7 | 申请日: | 2014-05-27 |
公开(公告)号: | CN104218825A | 公开(公告)日: | 2014-12-17 |
发明(设计)人: | 许华明;李威;张辉;张新豪;张毅 | 申请(专利权)人: | 弗莱克斯电子有限责任公司 |
主分类号: | H02M7/217 | 分类号: | H02M7/217;H02M1/42 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;张臻贤 |
地址: | 美国科*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 高效率 pfc 功率 变换器 | ||
1.一种无桥功率因数校正升压变换器,包括:
a.第一升压电感器,耦合到AC电压源的第一节点;
b.第一晶体管开关,耦合到所述第一升压电感器;
c.第一整流二极管,包括耦合所述第一升压电感器和所述第一晶体管开关的阳极;
d.第二升压电感器,耦合到所述AC电压源的第二节点;
e.第二晶体管开关,耦合到所述第二升压电感器;
f.第二整流二极管,包括耦合所述第二升压电感器和所述第二晶体管开关的阳极;
g.输出电容器,与所述第一整流二极管和所述第一晶体管开关并联耦合并且与所述第二整流二极管和所述第二晶体管开关并联耦合;
h.第三晶体管开关,耦合到所述AC电压源的所述第一节点;以及
i.第四晶体管开关,与所述第二升压电感器和所述第二晶体管开关并联耦合。
2.根据权利要求1所述的无桥功率因数校正升压变换器,其中所述第一整流二极管的阴极、所述第二整流二极管的阴极以及所述输出电容器的第一节点共同耦合。
3.根据权利要求2所述的无桥功率因数校正升压变换器,其中所述第四晶体管开关的第一节点耦合到所述AC电压源的所述第二节点。
4.根据权利要求3所述的无桥功率因数校正升压变换器,其中所述第三晶体管开关的第一节点耦合到所述AC电压源的所述第一节点。
5.根据权利要求4所述的无桥功率因数校正升压变换器,其中所述第一晶体管开关的第一节点耦合到所述第一整流二极管的所述阳极,并且所述第二晶体管开关的第一节点耦合到所述第二整流二极管的所述阳极。
6.根据权利要求5所述的无桥功率因数校正升压变换器,其中所述第一晶体管开关的第二节点、所述第二晶体管开关的第二节点、所述第三晶体管开关的第二节点、所述第四晶体管开关的第二节点以及所述输出电容器的第二节点共同耦合。
7.根据权利要求6所述的无桥功率因数校正升压变换器,其中所述第一升压电感器的第一节点耦合到所述AC电压源的所述第一节点,并且所述第一升压电感器的第二节点耦合到所述第一整流二极管的所述阳极和所述第一晶体管开关的第一端子,进一步地,其中所述第二升压电感器的第一节点耦合到所述AC电压源的所述第二节点,并且所述第二升压电感器的第二节点耦合到所述第二整流二极管的所述阳极和所述第二晶体管开关的所述第一端子。
8.根据权利要求1所述的无桥功率因数校正升压变换器,其中所述第一晶体管开关、所述第二晶体管开关、所述第三晶体管开关和所述第四晶体管开关各自包括金属-氧化物-半导体场效应晶体管。
9.根据权利要求1所述的无桥功率因数校正升压变换器,其中所述第一晶体管开关和所述第三晶体管开关被配置为与所述AC电压源的周期同步地执行开关功能,并且所述第二晶体管开关和所述第四晶体管开关被配置为与所述AC电压源的所述周期同步地执行开关功能。
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