[发明专利]半导体封装

权利要求书

1.一种半导体封装，包括：

基板；

多芯片封装，该多芯片封装安装在所述基板的上表面，并包括至少一个半导体芯片；

半导体芯片，该半导体芯片以面朝上的方式安装在所述基板的背面；

第一浇注部，该第一浇注部密封所述多芯片封装；以及

第二浇注部，该第二浇注部密封所述半导体芯片。

2.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，

所述多芯片封装包括：

第一半导体芯片，该第一半导体芯片倒装焊接在所述基板的上表面；以及

第二半导体芯片，该第二半导体芯片以面朝上的方式层叠在所述第一半导体芯片上。

3.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，

所述半导体芯片倒装焊接在所述基板的背面。

4.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，

所述第一浇注部的厚度(h1)与所述第二浇注部的厚度(h2)的比(h1：h2)为1：0.8至1。

5.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，

所述半导体封装还包括通孔，该通孔形成在所述第二浇注部的两侧面，并与所述基板和外部端子进行电连接。

6.根据权利要求5所述的半导体封装，其特征在于，

所述通孔的直径为0.2mm以上、1.0mm以下。

7.一种半导体封装的制造方法，包括：

半导体芯片安装步骤，在基板的上表面安装包括至少一个半导体芯片的多芯片封装，在所述基板的下表面安装半导体芯片；

浇注部形成步骤，形成密封所述多芯片封装的第一浇注部和密封所述半导体芯片的第二浇注部；以及

通孔形成步骤，在所述第二浇注部的两侧面上形成通孔以与所述基板进行电连接。

8.根据权利要求7所述的半导体封装的制造方法，其特征在于，

在所述半导体芯片安装步骤中，所述多芯片封装包括：

第一半导体芯片，该第一半导体芯片倒装焊接在所述基板上；以及

第二半导体芯片，该第二半导体芯片以面朝上的方式层叠在所述第一半导体芯片上。

9.根据权利要求7所述的半导体封装的制造方法，其特征在于，

在所述半导体芯片安装步骤中，所述半导体芯片倒装焊接在所述基板的背面。

10.根据权利要求7所述的半导体封装的制造方法，其特征在于，

在所述浇注部形成步骤中，所述第一浇注部的厚度(h1)与所述第二浇注部的厚度(h2)的比(h1：h2)为1：0.8至1。

11.根据权利要求7所述的半导体封装的制造方法，其特征在于，

在所述通孔形成步骤中，所述通孔的直径为0.2mm以上、1.0mm以下。