[发明专利]一种空间水基液滴定位基片及其制备方法

权利要求书

1.一种空间水基液滴定位基片，其特征在于：所述基片的表面是一种具有亲水区和疏水区交替结构的薄膜；所述亲水区域的形态可以设计成任意几何形状，所述疏水区将所述亲水区包围，起到限制水基液滴的作用。

2.如权利要求1所述的一种空间水基液滴定位基片，其特征在于：

所述定位基片为二层，分别为亲水基底和覆盖在所述亲水基底上的疏水膜，所述疏水膜并非完全覆盖所述亲水基底；所述亲水区为所述亲水基底露出的区域，所述疏水区为所述疏水膜覆盖的区域。

3.如权利要求1所述的一种空间水基液滴定位基片，其特征在于：

所述定位基片为二层，分别为疏水基底和覆盖在所述疏水基底上的亲水膜，所述亲水膜并非完全覆盖所述疏水基底；所述疏水区为所述疏水基底露出的区域，所述亲水区为所述亲水膜覆盖的区域。

4.如权利要求1所述的一种空间水基液滴定位基片，其特征在于：

所述定位基片为三层，从上至下依次为疏水膜、亲水膜、基底；所述亲水膜完全覆盖所述基底，所述疏水膜并非完全覆盖所述亲水膜；所述亲水区为所述亲水膜露出的区域，所述疏水区为所述疏水膜覆盖的区域；所述基底可以为亲水基底或疏水基底。

5.如权利要求1所述的一种空间水基液滴定位基片，其特征在于：

所述定位基片为三层，从上至下依次为亲水膜、疏水膜、基底；所述疏水膜完全覆盖所述基底，所述亲水膜并非完全覆盖所述疏水膜；所述疏水区为所述疏水膜露出的区域，所述亲水区为所述亲水膜覆盖的区域；所述基底可以为亲水基底或疏水基底。

6.如权利要求2所述的一种空间水基液滴定位基片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(a)在亲水基底上通过模板掩盖中间所需亲水区域，露出周边所需疏水区域；

(b)涂覆疏水膜；

(c)去模板得到所需亲疏水交替结构的空间水基液滴定位基片。

7.如权利要求3所述的一种空间水基液滴定位基片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(a)在疏水基底上通过模板掩盖周边所需疏水区域，露出中间所需亲水区域；

(b)涂覆亲水膜；

(c)去模板得到所需亲疏水交替结构的空间水基液滴定位基片。

8.如权利要求4所述的一种空间水基液滴定位基片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(a)在任意亲水或疏水性质的基底上整体涂覆亲水膜；

(b)然后通过模板掩盖中间所需亲水区域，露出周边所需疏水区域；

(c)涂覆疏水膜；

(d)去模板得到所需亲疏水交替结构的空间水基液滴定位基片。

9.如权利要求5所述的一种空间水基液滴定位基片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(a)在任意亲水或疏水性质的基底上整体涂覆疏水膜；

(b)然后通过模板掩盖中间所需疏水区域，露出周边所需亲水区域；

(c)涂覆亲水膜；

(d)去模板得到所需亲疏水交替结构的空间水基液滴定位基片。

10.如权利要求6或7或8或9中任一项所述的一种空间水基液滴定位基片的制备方法，其特征在于：

所述亲水基底为玻璃片、石英片或硅片；所述疏水基底为蓝宝石或PTFE；所述疏水膜可采用含有硅烷的涂料进行喷涂涂覆或化学蒸镀法涂覆；所述亲水膜可采用含有TiO₂的涂料进行喷涂涂覆；模板掩盖采用硅胶片覆盖法、铝膜覆盖法或光刻胶覆盖法。