[发明专利]Al-Ge共晶键合预处理方法及键合方法

权利要求书

1.一种Al-Ge共晶键合预处理方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一表面具有锗顶层的第一衬底及一表面具有铝顶层的第二衬底；充入化学性质不活泼的气体，排除空气，防止所述锗顶层及铝顶层被氧化。

2.一种键合方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一表面具有锗顶层的第一衬底及一表面具有铝顶层的第二衬底；充入化学性质不活泼的气体，排除空气，防止所述锗顶层及铝顶层被氧化；以所述锗顶层及所述铝顶层为中间层对所述第一衬底及第二衬底进行键合。

3.根据权利要求2所述的键合方法，其特征在于，在所述键合步骤之前，进一步包括一以所述锗顶层及所述铝顶层为中间层对所述第一衬底及第二衬底进行预键合的步骤：对键合腔体抽真空至预设值，并加热所述第一衬底及第二衬底至预键合温度；将所述第一衬底的锗顶层与所述第二衬底的铝顶层贴合，并施加预键合压力，保持一定时间。

4.根据权利要求3所述的键合方法，其特征在于，所述预键合的温度为380~400摄氏度，所述预键合的压力为5000~40000牛顿，所述预键合的时间为3~15分钟。

5.根据权利要求2所述的键合方法，其特征在于，在所述键合步骤之前，在充入化学性质不活泼的气体之前，进一步包括一将所述锗顶层与所述铝顶层对准的步骤。

6.根据权利要求5所述的键合方法，其特征在于，在对准步骤中，所述第一衬底与所述第二衬底互不接触。

7.根据权利要求2所述的键合方法，其特征在于，在所述键合步骤之后，进一步包括一降压降温步骤：撤销键合压力；充入化学性质不活泼的气体；冷却至室温。

8.根据权利要求2所述的键合方法，其特征在于，所述键合步骤的键合温度为420~450摄氏度，键合压力为20000~50000牛顿，键合时间为5~30分钟。

9.根据权利要求2所述的键合方法，其特征在于，所述锗顶层厚度为0.35~1微米，所述铝顶层的厚度为0.5~2微米，所述铝顶层的厚度大于所述锗顶层的厚度。

10.根据权利要求2所述的键合方法，其特征在于，所述锗顶层及所述铝顶层为图形化的锗顶层及铝顶层，所述锗顶层的图形的尺寸为10~100微米，所述铝顶层的图形的尺寸为10~100微米，所述铝顶层的图形的尺寸大于所述锗顶层的图形的尺寸。