[发明专利]具有依赖于负载的偏置的电压调节器有效

专利信息
申请号: 201410231731.7 申请日: 2014-03-14
公开(公告)号: CN104283424B 公开(公告)日: 2019-01-08
发明(设计)人: M·A·祖尼加;江启得;B·尼曼;陆阳;L·阮 申请(专利权)人: 沃尔泰拉半导体公司
主分类号: H02M3/156 分类号: H02M3/156
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 陈松涛;王英
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 具有 依赖于 负载 偏置 电压 调节器
【权利要求书】:

1.一种用于控制开关调节器的方法,包括:

利用高侧驱动器电路来驱动所述开关调节器的高侧晶体管的栅极,所述高侧驱动器电路包括耦合到电容器的正电压端子,所述电容器被配置成为所述高侧驱动器电路保持升压电压;

利用低侧驱动器电路来驱动所述开关调节器的低侧晶体管的栅极,所述低侧驱动器电路包括电耦合到电压源的正端子的正电压端子;

对所述开关调节器的输出电流进行测量;以及

响应于所测量的输出电流的增大:

增大所述电压源的电压,以及

使电耦合在所述电压源的正端子与所述高侧驱动器电路的正电压端子之间的晶体管导通。

2.如权利要求1所述的方法,还包括:

在所测量的输出电流基本为零时将所述电压源的电压设定在1.7V和1.8V之间。

3.如权利要求1所述的方法,还包括:

在所测量的输出电流为30A时将所述电压源的电压设定为2V。

4.如权利要求1所述的方法,还包括:

对所述电压源的电压进行调节,以使得对于输出电流值的范围,所述电压源的电压是输出电流的单调函数。

5.如权利要求1所述的方法,还包括对所述电压源的电压进行调节,以使得对于输出电流值的范围,所述高侧晶体管的饱和电流基本上是恒定的。

6.一种具有输入端子和输出端子的开关调节器,所述开关调节器包括:

高侧晶体管,所述高侧晶体管在所述输入端子和中间端子之间;

低侧晶体管,所述低侧晶体管在所述中间端子和地之间;

直流(DC)电压源;

高侧驱动器电路,用于驱动所述高侧晶体管的栅极,所述高侧驱动器电路包括耦合到电容器的正电压端子,所述电容器被配置成为所述高侧驱动器电路保持升压电压;

低侧驱动器电路,用于驱动所述低侧晶体管的栅极,所述低侧驱动器电路包括电耦合到所述直流电压源的正端子的正电压端子;

第三晶体管,其电耦合在所述高侧驱动器电路的正电压端子和所述直流电压源的正端子之间;以及

控制器,其控制所述高侧驱动器电路和所述低侧驱动器电路,以分别驱动所述高侧晶体管和所述低侧晶体管,从而交替地将所述中间端子耦合至所述输入端子和地,

其中所述控制器被配置为响应于所述开关调节器的输出电流的增大而(a)增大所述直流电压源的输出电压并且(b)使所述第三晶体管导通。

7.如权利要求6所述的开关调节器,其中所述高侧驱动器电路包括反向器,所述反向器具有输入端子和输出端子。

8.如权利要求7所述的开关调节器,其中所述输入端子连接到所述控制器并且所述输出端子连接到所述高侧晶体管的栅极。

9.如权利要求6所述的开关调节器,其中所述控制器被配置为对表示输出电流的测量结果的信号进行接收。

10.如权利要求6所述的开关调节器,其中所述控制器被配置为对所述直流电压源进行调节,以使得对于基本无输出电流,所述直流电压源的输出电压在1.7V和1.8V之间。

11.如权利要求6所述的开关调节器,其中所述控制器被配置为对所述直流电压源进行调节,以使得对于基本等于30A的输出电流,所述直流电压源的输出电压为2V。

12.如权利要求6所述的开关调节器,其中所述控制器被配置为对所述直流电压源进行调节,以使得对于输出电流值的范围,所述直流电压源的输出电压是输出电流的单调函数。

13.如权利要求6所述的开关调节器,其中所述控制器被配置为对所述直流电压源进行调节,以使得对于输出电流值的范围,所述高侧晶体管的饱和电流基本上是恒定的。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于沃尔泰拉半导体公司,未经沃尔泰拉半导体公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410231731.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top