[发明专利]一种集成VCO和波导天线的封装结构

权利要求书

1.一种集成VCO和波导天线的封装结构，其特征在于，包括由底层介质基板层、若干中间介质基板层和顶层介质基板层构成的LTCC封装体，LTCC封装体的一端封装VCO芯片，另一端封装波导反射腔及微带耦合探针；

所述的VCO芯片设置在底层介质基板层的一端，其余的介质基板层的该端开设有与VCO芯片相匹配的通孔，顶层介质基板层还设有密封该通孔的金属盖，底层介质基板层上设有为VCO芯片提供“地”平面的GND金属网格反射面；

所述的微带耦合探针设置在与VCO芯片的高度相持平的中间介质基板层上，该中间介质基板层上还设有将微带耦合探针与VCO芯片输出管脚相连接的微带过渡，微带过渡周围设有地孔；

所述的波导反射腔包括设置在微带耦合探针的周围并贯穿LTCC封装体的金属柱和设置在顶层介质基板层下表面的金属反射板，用于连接WR12矩形波导的波导反射腔的开口开设在底层介质基板层上；

所述的LTCC封装体外侧还设有封装引脚，封装引脚通过连接线与VCO芯片管脚相连接。

2.如权利要求1所述的集成VCO和波导天线的封装结构，其特征在于，所述的VCO芯片的输出管脚通过金丝键合线与微带过渡相连接；

所述的波导反射腔中，除放置微带耦合探针所需的介质基板外，去除其余的介质基板。

3.如权利要求1所述的集成VCO和波导天线的封装结构，其特征在于，所述的LTCC封装体由四层介质基板层构成，其中底层介质基板层的一端设置VCO芯片，另一端开设波导反射腔出口，在其余位置铺设GND金属网格反射面；第二层介质基板层上设有微带耦合探针及微带过渡，并设有VCO芯片通孔；第三层介质基板层上设有VCO芯片通孔；第四层介质基板层的一端设有VCO芯片通孔及金属盖，另一端设有金属反射板；微带过渡上方的金属柱贯穿第三、第四层介质基板层，其余金属柱贯穿第一到第四层介质基板层。

4.如权利要求1所述的集成VCO和波导天线的封装结构，其特征在于，所述的VCO芯片通过封装引脚与PCB板相连接，VCO芯片的输出管脚通过微带耦合探针、波导反射腔，从微带线传输模式转变成矩形波导TE10模式。

5.如权利要求1所述的集成VCO和波导天线的封装结构，其特征在于，所述的微带耦合探针为微带贴片天线，所述的微带过渡为二阶四分之一波长馈电匹配结构。

6.如权利要求1所述的集成VCO和波导天线的封装结构，其特征在于，金属反射板与微带耦合探针之间的间距是四分之一工作波长或其周期性间距。

7.如权利要求1所述的集成VCO和波导天线的封装结构，其特征在于，所述的连接线与微带过渡设置在同一层介质基板层上，连接线设置在VCO芯片四周，其与VCO芯片的管脚通过金丝键合线相连接。

8.如权利要求1所述的集成VCO和波导天线的封装结构，其特征在于，波导反射腔的开口的周围还设有法兰盘安装孔。