[发明专利]大功率氮化铝陶瓷基板100W-27dB衰减片

说明书

技术领域

本发明涉及一种氮化铝陶瓷衰减片,特别涉及一种大功率氮化铝陶瓷基板100W-27dB衰减片。

背景技术

目前大多数通讯基站都是应用大功率陶瓷负载片来吸收通信部件中反向输入功率，大功率陶瓷负载片只能单纯地消耗吸收多余的功率，而无法对基站的工作状况做实时的监控，当基站工作发生故障时无法及时地做出判断，并对设备没有保护作用。

衰减片不但能在通信基站中可吸收通信部件中反向输入的功率，而且能够抽取通信部件中部分信号，对基站进行实时监控,对设备有保护作用，但目前国内100W-27dB的氮化铝陶瓷衰减片，其衰减精度不仅大多只能做到1G频率以内，少数能做到2G，且衰减精度和设备配备的VSWR较难控制，市场对衰减精度的要求要，当衰减精度达不到要求时或VSWR达不到要求时，输出端得到的信号不符合实际要求。当频段高于2G时，国内的衰减片，其衰减精度更将满足不了要求。

发明内容

针对上述现有技术的不足，本发明要解决的技术问题是提供一种衰减精度高，能在3G频段内使用大功率氮化铝陶瓷基板100W-27dB衰减片。

为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：

一种大功率氮化铝陶瓷基板100W-27dB衰减片，其包括一氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有导体层，所述氮化铝基板的正面印刷有数个电阻及银浆导线，所述银浆导线连接所述电阻形成衰减电路，所述电阻上印刷有玻璃保护膜。

优选的，所述银浆导线及玻璃保护膜的上表面还印刷有双层黑色保护膜。

优选的，所述双层保护膜之间印刷有一层介质层。

上述技术方案具有如下有益效果：该大功率氮化铝陶瓷基板100W-27dB衰减片增大了电阻面积，这样使得衰减片的抗高低温冲击性能增加，使产品性能指标符合要求。同时避免了在输出端焊接引线时高温对电阻淬伤，避免了因电阻被淬伤在实际使用过程中会坏掉的风险，改善了电路的设计，介质微调技术的应该，提高了产品的回波损耗和衰减精度，从而使得产品可以应用于4G网络。

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。本发明的具体实施方式由以下实施例及其附图详细给出。

附图说明

图1为本发明实施例正面的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明的优选实施例进行详细介绍。

如图1所示，该大功率氮化铝陶瓷基板100W-27dB衰减片包括一氮化铝基板1，氮化铝基板1的背面印刷有导体层，导体层由印刷银浆印刷而成。氮化铝基板1的正面印刷有电阻R1、R2、R3、R4、R5及银浆导线2，银浆导线2将电阻R1、R2、R3、R4、R5连接起来形成TT型结构的衰减电路，电阻R1、R2、R3、R4、R5上均印刷有玻璃保护膜3，玻璃保护膜3用于保护电阻R1、R2、R3、R4、R5。在整个电路即银浆导线2及玻璃保护膜3的上表面还印刷有一层黑色保护膜4，黑色保护膜4可对整个电路进行包括，黑色保护膜4上印刷有一层介质层6，介质层6上，又印刷有一层黑色保护膜5，黑色保护膜5上还可印刷品牌和型号。

该大功率氮化铝陶瓷基板100W-27dB衰减片要求输入端和接地的阻值为50±1.5Ω，输出端和接地端的阻值为50±1.5Ω。信号从输入端进入衰减片，经过电阻R1,R2,R5,R3,R4对功率的逐步吸收，使输出端输出实际所需要的信号。

该大功率氮化铝陶瓷基板100W-27dB衰减片增大了电阻面积，这样使得衰减片的抗高低温冲击性能增加，使产品性能指标符合要求。同时避免了在输出端焊接引线时高温对电阻淬伤，避免了因电阻被淬伤在实际使用过程中会坏掉的风险，改善了电路的设计，介质微调技术的应该，提高了产品的回波损耗和衰减精度，从而使得产品可以应用于4G网络。

以上对本发明实施例所提供的一种大功率氮化铝陶瓷基板100W-27dB衰减片进行了详细介绍，对于本领域的一般技术人员，依据本发明实施例的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制，凡依本发明设计思想所做的任何改变都在本发明的保护范围之内。