[发明专利]一种无主栅背接触太阳能电池组件及其制备方法有效
申请号: | 201410231962.8 | 申请日: | 2014-05-28 |
公开(公告)号: | CN104064608A | 公开(公告)日: | 2014-09-24 |
发明(设计)人: | 刘志锋;尹海鹏;单伟 | 申请(专利权)人: | 晶澳(扬州)太阳能科技有限公司;晶澳太阳能有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/05;H01L31/18 |
代理公司: | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人: | 李海波 |
地址: | 225131 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 无主 接触 太阳能电池 组件 及其 制备 方法 | ||
1.一种无主栅背接触太阳能电池组件,包括从上至下设置的玻璃、EVA、串联电池片、EVA和背板,其特征是:所述串联电池片包括导电背板和设置于所述导电背板上且与所述导电背板相欧姆接触的多个无主栅背接触太阳能电池片。
2.根据权利要求1所述的无主栅背接触太阳能电池组件,其特征是:所述的无主栅背接触太阳能电池片包括硅基体,相互交替分布在硅基体背面的p+掺杂区域和n+掺杂区域,设于所述p+掺杂区域和n+掺杂区域之间用于使所述p+掺杂区域和n+掺杂区域电绝缘的带隙,设于所述p+掺杂区域上并与其相欧姆接触的p+区域金属点状电极或金属细栅电极,以及设于所述n+掺杂区域上并与其相欧姆接触的n+区域金属点状电极或金属细栅电极。
3.根据权利要求2所述的无主栅背接触太阳能电池组件,其特征是:所述导电背板从上到下包括依次排列的第一绝缘层、第一电极导电板、第二绝缘层、第二电极导电板和第三绝缘层,在第一绝缘层上设有穿孔A阵列和穿孔B阵列,所述穿孔A阵列的位置与所述背接触太阳能电池上p+区域金属点状电极或金属细栅电极的位置相对应,所述穿孔B阵列的位置与所述背接触太阳能电池上n+区域金属点状电极或金属细栅电极的位置相对应,在第一电极导电板上设有穿孔C阵列,所述穿孔C阵列的位置与所述背接触太阳能电池上p+区域金属点状电极或金属细栅电极的位置相对应,在第二绝缘层设有穿孔D阵列,所述穿孔D阵列的位置与所述背接触太阳能电池上p+区域金属点状电极或金属细栅电极的位置相对应;或所述导电背板从上到下包括依次排列的第一绝缘层、第一电极导电板、第二绝缘层、第二电极导电板和第三绝缘层,在第一绝缘层上设有穿孔A阵列和穿孔B阵列,所述穿孔A阵列的位置与所述背接触太阳能电池上n+区域金属点状电极或金属细栅电极的位置相对应,所述穿孔B阵列的位置与所述背接触太阳能电池上p+区域金属点状电极或金属细栅电极的位置相对应,在第一电极导电板上设有穿孔C阵列,所述穿孔C阵列的位置与所述背接触太阳能电池上n+区域金属点状电极或金属细栅电极的位置相对应,在第二绝缘层设有穿孔D阵列,所述穿孔D阵列的位置与所述背接触太阳能电池上n+区域金属点状电极或金属细栅电极的位置相对应。
4.根据权利要求3所述的无主栅背接触太阳能电池组件,其特征是:在所述导电背板的第一绝缘层穿孔A阵列和穿孔B阵列中注入有导电浆料,其中注入到穿孔A阵列中的导电浆料经第一电极导电板上的穿孔阵列C和第二绝缘层上的穿孔D阵列与所述第二电极导电板相接触,注入到穿孔B阵列中的导电浆料直接与所述第一电极导电板相接触。
5.根据权利要求4所述的无主栅背接触太阳能电池组件,其特征是:所述无主栅背接触太阳能电池片置于所述导电背板上,其中所述无主栅背接触太阳能电池片上p+区域金属点状电极或金属细栅电极与所述导电背板第一绝缘层上的穿孔A阵列中的导电浆料相接触,所述无主栅背接触太阳能电池片上n+区域金属点状电极或金属细栅电极与所述导电背板第一绝缘层上的穿孔B阵列中的导电浆料相接触,实现无主栅背接触太阳能电池与所述导电背板之间的欧姆连接;或所述无主栅背接触太阳能电池片置于所述导电背板上,其中所述无主栅背接触太阳能电池片上n+区域金属点状电极或金属细栅电极与所述导电背板第一绝缘层上的穿孔A阵列中的导电浆料相接触,所述无主栅背接触太阳能电池片上p+区域金属点状电极或金属细栅电极与所述导电背板第一绝缘层上的穿孔B阵列中的导电浆料相接触,实现无主栅背接触太阳能电池与所述导电背板之间的欧姆连接。
6.根据权利要求1-5任一项所述的无主栅背接触太阳能电池组件,其特征是:所述导电背板为一个可设置多个无主栅背接触太阳能电池的整体导电背板或由多个导电背板单元相串联组成的整体导电背板,其中所述导电背板单元的大小与所述无主栅背接触太阳能电池的大小相适配。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的