[发明专利]一种冰箱电磁门控制系统

权利要求书

1.一种冰箱电磁门控制系统，其特征在于：包括一个以微处理器为核心的门控制器（1），所述门控制器（1）分别连接有一个驱动电感（2）、磁性传感器（3）、第一RC接触式传感器（4）和第二RC接触式传感器（5）；

所述微处理器包括第一PWM信号输出管脚（PB1）、第二PWM信号输出管脚（PB2）、第一二进制状态管脚（PB3）、第二二进制状态管脚（PB4）、ADC输入管脚（PC0）、第一输入管脚（PD5）和第二输入管脚（PD6）；

所述驱动电感（2）主要包括一个H电桥，所述的H电桥包括第一、第二、第三、第四开关（S1，S2，S3，S4），所述的第一、第二、第三、第四开关（S1，S2，S3，S4）的两端分别对应跨接有第一、第二、第三、第四反激式二极管（D1，D2，D3，D4），所述第一、第二开关（S1，S2）的一端分别接入电源，另一端分别接入负载端，所述第三、第四开关（S3，S4）的一端分别接入负载端，另一端分别接地；

所述第一开关（S1）中包括第一NPN型三极管（Q5）和第一P型MOS管（Q1），所述第一P型MOS管（Q1）的漏极接入负载端，其源极和衬底接入电源，其栅极与所述第一NPN型三极管（Q5）的集电极连接，所述第一P型MOS管（Q1）的源极和漏极之间跨接有所述第一反激式二极管（D1），所述第一NPN型三极管（Q5）的集电极通过第十七电阻（R17）接入电源，其发射极接地，其基极通过第十八电阻（R18）连接所述微处理器的第一PWM信号输出管脚（PB1）；

所述第二开关（S2）中包括第二NPN型三极管（Q6）和第二P型MOS管（Q2），所述第二P型MOS管（Q2）的漏极接入负载端，其源极和衬底接入电源，其栅极与所述第二NPN型三极管（Q6）的集电极连接，所述第二P型MOS管（Q2）的源极和漏极之间跨接有所述第二反激式二极管（D2），所述第二NPN型三极管（Q6）的集电极通过第十九电阻（R19）接入电源，其发射极接地，其基极通过第二是电阻（R20）连接所述微处理器的第二PWM信号输出管脚（PB2）；

所述第三开关（S3）中包括第一N型MOS管（Q3），所述第一N型MOS管（Q3）的漏极接入负载端，其源极和衬底接地，其栅极通过第二十一电阻（R21）连接所述微处理器的第一二进制状态管脚（PB3），所述第一N型MOS管（Q3）的源极和漏极之间跨接有所述第三反激式二极管（D3）；

所述第四开关（S4）中包括第二N型MOS管（Q4），所述第二N型MOS管（Q4）的漏极接入负载端，其源极和衬底接地，其栅极通过第二十二电阻（R22）连接所述微处理器的第二二进制状态管脚（PB4），所述第二N型MOS管（Q4）的源极和漏极之间跨接有所述第四反激式二极管（D4）；

所述磁性传感器（3）主要包括一个电感电流纹波检测电路，所述电感电流纹波检测电路中包括第一放大器（U1）和第二放大器（U2），所述第一放大器（U1）的反向输入端连接第一电阻（R1），所述第一放大器（U1）的同向输入端并联有第二电阻（R2）和第三电阻（R3），所述第一放大器（U1）的输出端通过第一电容（C1）并联有第四电阻（R4）和接地的第五电阻（R5），所述第一放大器（U1）的反向输入端和输出端之间还跨接有第六电阻（R6）；所述第一电阻（R1）连接高通滤波器（LH），所述第二电阻（R2）通过一电感（L）连接低通滤波器（LP），所述第一放大器（U1）的反向输入端和同向输入端之间跨接有第七、第八、第九电阻（R7，R8，R9），所述第三电阻（R3）通过第二电容（C2）接地，所述第二电容（C2）的两端并联有所述第十电阻（R10），所述第十电阻（R10）通过第十一电阻（R11）接地；

所述第二放大器（U2）的反向输入端连接第十二电阻（R12），所述第二放大器（U2）的同向输入端并联有所述第四电阻（R4）和第三电容（C3），所述第三电容（C3）接地，所述第二放大器（U2）的输出端通过第十四电阻（R14）一普通二极管（D5）的正极和一稳压二极管（D6）的负极并联，所述第一放大器（U1）的反向输入端和输出端之间还跨接有第十三电阻（R13）；所述稳压二极管（D6）的正极接地，所述普通二极管（D5）的负极通过第十五电阻（R15）并联有第十六电阻（R16）和接地的第四电容（C4），所述第十六电阻（R16）与所述微处理器的ADC输入管脚（PC0）连接；

所述第一RC接触式传感器（4）包括第五电容（C5），所述第五电容（C5）的一端分别连接所述微处理器的第一输入管脚（PD5）以及通过第二十三电阻（R23）连接电源，其另一端接地；

所述第一RC接触式传感器（5）包括第六电容（C6），所述第六电容（C6）的一端分别连接所述微处理器的第二输入管脚（PD6）以及通过第二十四电阻（R24）连接电源，其另一端接地。

2.根据权利要求1所述的冰箱电磁门驱动电感，其特征在于：所述第一、第二、第三、第四反激式二极管（D1，D2，D3，D4）均为BYV26C型二极管。