[发明专利]陶瓷闪烁体阵列及其制备方法

权利要求书

1.一种陶瓷闪烁体阵列，其特征在于，包括多个陶瓷闪烁体基元，所述多个陶瓷闪烁体基元呈阵列结构排列；

每个所述陶瓷闪烁体基元的出光面表面粗糙；

相邻的两个所述陶瓷闪烁体基元之间填充有粘结剂，所述粘结剂将各个单独的所述陶瓷闪烁体基元粘结在一起，至少两个所述陶瓷闪烁体基元的材质不同。

2.根据权利要求1所述的陶瓷闪烁体阵列，其特征在于，每个所述陶瓷闪烁体基元的出光面均为弧面。

3.根据权利要求1所述的陶瓷闪烁体阵列，其特征在于，每个所述陶瓷闪烁体基元的横截面积为0.5mm²～4mm²，每个所述陶瓷闪烁体基元的高度为1mm～4mm；

相邻的两个所述陶瓷闪烁体基元的间距为0.1mm～0.3mm。

4.根据权利要求1所述的陶瓷闪烁体阵列，其特征在于，每个所述陶瓷闪烁体基元包括基质和掺杂于所述基质中的激活离子；

所述基质的材质为Lu₂O₃透明陶瓷、Lu₃Al₅O₁₂透明陶瓷、Y₂O₃透明陶瓷、Y₃Al₅O₁₂透明陶瓷、(Gd_xLu_1-x)₃(Al_yGa_1-y)₅O₁₂透明陶瓷、(Y_aLu_bGd_c)₂O₃透明陶瓷、Gd₂O₂S透明陶瓷及(Ca_xMg_1-x)₃(Sc_yLu_1-y)₂Si₃O₁₂透明陶瓷中的一种或几种；

所述激活离子选自Ce³⁺、Pr³⁺、Nd³⁺、Sm³⁺、Eu²⁺、Dy²⁺、Ho²⁺、Er²⁺、Tm²⁺、Ti²⁺、Cr²⁺及Mn²⁺中的一种；

其中，0<x<1，0<y<1；0<a<1，0<b<1，0<c<1，且a+b+c＝1；所述激活离子的摩尔量为所述基质的摩尔量的0.00005％～10％。

5.一种陶瓷闪烁体阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S100：制备多个陶瓷闪烁体基元，至少两个所述陶瓷闪烁体基元的材质不同；

S200：将所述多个陶瓷闪烁体基元呈阵列结构排列，并将所述多个陶瓷闪烁体基元连接在一起，得到初级陶瓷闪烁体阵列；

S300：将所述初级陶瓷闪烁体阵列的出光面表面进行粗化处理，得到所需的陶瓷闪烁体阵列。

6.根据权利要求5所述的陶瓷闪烁体阵列的制备方法，其特征在于，所述S100包括以下步骤：

按照陶瓷闪烁体基元的成分配比配制陶瓷粉体，将所述陶瓷粉体研磨、混匀并干燥；

将干燥后的陶瓷粉体通过基元制备模具压制成型，得到多个陶瓷闪烁体基元生坯；

将所述多个陶瓷闪烁体基元生坯烧结后，得到多个陶瓷闪烁体基元。