[发明专利]一种LED芯片P面电极及P面电极制备方法

权利要求书

1.一种LED芯片P面电极，包括接触电极和焊线电极，其特征在于：所述的接触电极包括第一镀金层(11)、金铍层(12)和第二镀金层(13)，所述的第一镀金层(11)的厚度为金铍层(12)的厚度为第二镀金层(13)的厚度为所述的焊线电极包括第一镀钛层(21)、镀铝层(22)和第二镀钛层(23)，第一镀钛层(21)的厚度为镀铝层(22)的厚度为第二镀钛层(23)的厚度为

2.根据权利要求1所述的一种LED芯片P面电极，其特征在于：所述的第一镀金层(11)的厚度为金铍层(12)的厚度为第二镀金层(13)的厚度为所述的第一镀钛层(21)的厚度为镀铝层(22)的厚度为第二镀钛层(23)的厚度为

3.一种制备LED芯片P面电极用刻蚀液，其特征在于：包括钛刻蚀液、铝刻蚀液和金刻蚀液，所述的钛刻蚀液由氟化氢和氟化铵溶液组成，该氟化氢和氟化铵溶液的体积比为1:3-7；所述的铝刻蚀液为磷酸和硝酸的混合液；所述的金刻蚀液为碘和碘化钾的混合液，碘和碘化钾的质量比为1:2-4。

4.一种LED芯片P面电极的制备方法，其步骤为：

步骤一、接触电极的制备：

a、真空镀膜：在LED芯片P面依次蒸镀第一镀金层(11)、金铍层(12)和第二镀金层(13)，第一镀金层(11)的厚度为金铍层(12)的厚度为第二镀金层(13)的厚度为

b、光刻：对经步骤a镀膜后的金属层进行光刻蚀处理，不需刻蚀的区域使用正性光刻胶保护；

c、湿法刻蚀：对经步骤b处理后的LED芯片P面接触电极各金属层进行湿法刻蚀，然后去胶清洗；

d、合金：对经步骤c处理后的LED芯片进行高温融合处理；

步骤二、焊线电极的制备：

e、真空镀膜：在LED芯片P面接触电极上依次蒸镀第一镀钛层(21)、镀铝层(22)和第二镀钛层(23)，第一镀钛层(21)的厚度为镀铝层(22)的厚度为第二镀钛层(23)的厚度为

f、光刻：对经步骤e镀膜后的金属层进行光刻蚀处理，不需刻蚀的区域使用正性光刻胶保护；

g、湿法刻蚀：对经步骤f处理后的LED芯片P面焊线电极各金属层进行湿法刻蚀，然后去胶清洗。

5.根据权利要求4所述的一种LED芯片P面电极的制备方法，其特征在于：步骤a和e的真空镀膜处理在压力小于3.0×10^-5Pa条件下进行。

6.根据权利要求5所述的一种LED芯片P面电极的制备方法，其特征在于：步骤e所述的真空镀膜过程为：1)在80-100℃的温度条件下使用的速率蒸镀第一镀钛层(21)；2)在20-30℃的温度条件下使用的速率蒸镀镀铝层(22)，3)在90-110℃的温度条件下使用的速率蒸镀第二镀钛层(23)。

7.根据权利要求5或6所述的一种LED芯片P面电极的制备方法，其特征在于：步骤b和f使用的正性光刻胶的粘度为30-50PaS，正性光刻胶的涂布速率为3000-4000r/min。

8.根据权利要求7所述的一种LED芯片P面电极的制备方法，其特征在于：步骤c所述湿法刻蚀采用的刻蚀液为碘和碘化钾的混合溶液，碘和碘化钾的质量比为1:2-4。

9.根据权利要求8所述的一种LED芯片P面电极的制备方法，其特征在于：步骤d所述的合金处理在氮气氛围下400-500℃高温融合8-12min。

10.根据权利要求9所述的一种LED芯片P面电极的制备方法，其特征在于：步骤g所述湿法刻蚀处理中对第一镀钛层(21)和第二镀钛层(23)采用的刻蚀液为氟化氢和氟化铵的混合溶液，氟化氢和氟化铵溶液的体积比为1:3-7；对镀铝层(22)采用的刻蚀液为磷酸和硝酸的混合液。