[发明专利]各向异性磁电阻薄膜的制造方法

权利要求书

1.一种各向异性磁电阻薄膜的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、提供一氮化硅薄膜基片，采用刻蚀工艺对所述基片进行预处理以增加所述基片表面的粗糙度，干扰后续薄膜晶体趋向成膜；

步骤二、采用PVD工艺方法在所述基片表面进行Ni₈₁Fe₁₉薄膜的成膜，Ni₈₁Fe₁₉薄膜的成膜工艺由多步沉积工艺和刻蚀工艺组成，所述Ni₈₁Fe₁₉薄膜的成膜工艺中的各步沉积工艺都采用PVD工艺沉积、在每两步沉积工艺之间都进行一次在位的刻蚀工艺处理，所述Ni₈₁Fe₁₉薄膜的成膜工艺中的刻蚀工艺用于增加成膜表面的粗糙度，干扰后续薄膜晶体趋向成膜；

步骤三、在所述Ni₈₁Fe₁₉薄膜表面进行氮化钽薄膜的成膜；

步骤四、对所述Ni₈₁Fe₁₉薄膜和所述氮化钽薄膜进行退火处理从而形成各向异性磁电阻薄膜。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤一中所述预处理的刻蚀工艺采用等离子体刻蚀工艺。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤二中所述Ni₈₁Fe₁₉薄膜的成膜工艺中的刻蚀工艺采用等离子体刻蚀工艺。

4.如权利要求1或3所述的方法，其特征在于：所述Ni₈₁Fe₁₉薄膜的成膜工艺的PVD工艺采用物理溅射工艺，溅射功率为0.1kw～1kw，压力为1×10^-8托～1×10^-5托，根据衬底偏压的设置来区分所述Ni₈₁Fe₁₉薄膜的成膜工艺的沉积工艺和刻蚀工艺，沉积工艺中衬底偏压为0，刻蚀工艺中衬底偏压为0.1kw～1kw；所述Ni₈₁Fe₁₉薄膜的成膜工艺的每两步沉积工艺之间衬底偏压所加时间为5秒～20秒；所述Ni₈₁Fe₁₉薄膜的厚度

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤三中采用物理溅射成膜工艺形成所述氮化钽薄膜，所述氮化钽薄膜的厚度为溅射温度为20℃～50℃，压力为1×10^-8托～1×10^-5托，溅射功率为0.5kw～2kw。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤四中的退火处理的温度为400℃，处理时间为30秒～60秒。