[发明专利]高频高稳定性氮化铝陶瓷基板10瓦20dB衰减片

说明书

技术领域

发明涉及一种氮化铝陶瓷衰减片,特别涉及一种高频高稳定性高频高稳定性氮化铝陶瓷基板10瓦20dB的衰减片。

背景技术

目前集成了五个膜状电阻设计的衰减片广泛应用于航空、航天、雷达、电台、广播通讯等设备领域。在通讯领域使用负载片只能单纯地消耗吸收多余的功率，而使用衰减片在吸收反向输入的功率，保护线路设备的同时还能收集需要的信号进行分析，并在高频电路上调整功率电平,去耦,对相关设备起到了保护作用。

由于国外对同类产品的研发与制造比国内起步早，特别对衰减片等技术含量较高产品几乎处于垄断，无论在产品系列还是产品特性上都处于优势地位。而国内市场上现有的衰减片衰减精度低，且能使用的频段相对较窄。我们希望的衰减器是一个功率消耗元件，不能对两端电路有影响，也就是说，与两端电路都是匹配的。当衰减精度或VSWR达不到要求时，输出端得到的信号不符合实际要求。

发明内容

针对上述现有技术的不足，发明要解决的技术问题是提供一种阻抗满足50±1.5Ω，在3G频段以内衰减精度为20±0.5dB,驻波要求输入、输出端在1.2以内，能够满足目前3G网络的应用要求的高频高稳定性氮化铝陶瓷基板10瓦20dB衰减片，取代国外同类产品，并在特性上填补国内产品的空白。

为解决上述技术问题，发明采用如下技术方案：

一种高频高稳定性氮化铝陶瓷基板10瓦20dB衰减片，包括一长5mm、宽2.5mm、厚度1.0mm的氮化铝陶瓷基板，所述氮化铝陶瓷基板的正面印刷有高纯度银浆导线，所述银浆导线通过高温烧结由五个膜状电阻连通，所述氮化铝陶瓷基板的背面印刷有高纯度银浆背导层，所述正导和背导通过低温银浆导通。

优选的，所述高温烧结膜状电阻上印刷有glass保护膜。

优选的，所述导线及glass保护膜的上表面还印刷有一层黑色耐酸碱polymer膜。

上述技术方案具有如下有益效果：该高频高稳定性氮化铝陶瓷基板10瓦20dB衰减片体积小,材料成本有效降低；产量高，生产成本有效降低；对称电路设计，频率特性好，电路的稳定性得到提升，打破了原来衰减片只能应用于低频的局面，使得衰减片能应用于3G的网络。可广泛应用于航空、航天、雷达、电台、广播通讯等设备领域隔离器、环形器等微波产品的生产。拓展了国内衰减片的应用频段。

上述说明仅是发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。发明的具体实施方式由以下实施例及其附图详细给出。

附图说明

图1为发明实施例的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图对发明的优选实施例进行详细介绍。

如图1所示，该高频高稳定性氮化铝陶瓷基板10瓦20dB衰减片包括一长5.0mm、宽2.5mm、厚度1.0mm的氮化铝陶瓷基板1，氮化铝基板1的背面印刷有高纯度银浆背导层，氮化铝基板1的正面印刷有高纯度银浆导线2及膜状电阻R1、R2、R3，R4、R5膜状电阻R1、R2、R3、R4、R5通过导线连接形成衰减电路，衰减电路通过低温银浆与背导层连接，从而使衰减电路接地导通。该衰减电路沿氮化铝基板的中心线对称，膜状电阻R1、R2、R3、R4、R5上印刷有glass保护膜3，导线2及glass保护膜3的上表面还印刷有一层黑色耐酸碱polymer膜4，这样可对导线2及膜状电阻R1、R2、R3、R4、R5形成保护。

该高频高稳定性氮化铝陶瓷基板10瓦20dB衰减片要求输入端和接地的阻抗为50±1.5Ω，输出端和接地端的阻抗为50±1.5Ω。信号输入端进入衰减片，经过膜状电阻R1、R2、R5、R3、R4对功率的逐步吸收，从输出端输出实际所需要的信号。

该高频高稳定性氮化铝陶瓷基板10瓦20dB衰减片体积小,材料成本有效降低；产量高，生产成本有效降低；对称电路设计，频率特性好，电路的稳定性得到提升，打破了原来衰减片只能应用于低频的局面，使得衰减片能应用于3G的网络。可广泛应用于航空、航天、雷达、电台、广播通讯等设备领域隔离器、环形器等微波产品的生产。拓展了国内衰减片的应用频段。

以上对发明实施例所提供的一种高频高稳定性氮化铝陶瓷基板10瓦20dB衰减片进行了详细介绍，对于本领域的一般技术人员，依据发明实施例的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对发明的限制，凡依发明设计思想所做的任何改变都在发明的保护范围之内。