[发明专利]半导体衬底、半导体封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体衬底，其包含：

第一图案化金属层；

第二图案化金属层，其位于所述第一图案化金属层下方；

第一电介质层，所述第一电介质层位于所述第一图案化金属层与所述第二图案化金属层之间并且包括至少一个导通孔，所述至少一个导通孔从所述第一图案化金属层延伸到所述第二图案化金属层，所述第一图案化金属层与所述第二图案化金属层是通过所述至少一个导通孔电连接；

第二电介质层，其邻接于所述第一电介质层且包覆所述第二图案化金属层，并且所述第二电介质层具有多个第一开口以暴露所述第二图案化金属层；以及

载体层，其邻接于所述第二电介质层并具有多个第二开口，所述第二开口的位置与所述第一开口的位置实质上相对应。

2.根据权利要求1所述的半导体衬底，其中所述第二开口的大小实质上大于或等于所述第一开口的大小。

3.根据权利要求1所述的半导体衬底，其中所述载体层进一步包括第三图案化金属层和承载层，所述第三图案化金属层邻接于所述第二电介质层，所述承载层邻接于所述第三图案化金属层。

4.根据权利要求1所述的半导体衬底，其中所述第一电介质层和所述第二电介质层包括感光材料。

5.根据权利要求1所述的半导体衬底，其中所述载体层紧密贴合或压合所述第二电介质层。

6.一种半导体衬底，其包含：

第一图案化金属层；

第二图案化金属层，其位于所述第一图案化金属层下方；

电介质层，所述电介质层位于所述第一图案化金属层与所述第二图案化金属层之间并且包覆所述第二图案化金属层，所述电介质层具有多个第一开口以暴露所述第二图案化金属层，所述电介质层包括至少一个导通孔，所述至少一个导通孔从所述第一图案化金属层延伸到所述第二图案化金属层，所述第一图案化金属层与所述第二图案化金属层是通过所述至少一个导通孔电连接；以及

载体层，其邻接于所述电介质层并具有多个第二开口，所述第二开口的位置与所述第一开口的位置实质上相对应。

7.根据权利要求6所述的半导体衬底，其中所述第二开口的大小实质上大于或等于所述第一开口的大小。

8.根据权利要求6所述的半导体衬底，其中所述载体层进一步包括第三图案化金属层和承载层，所述第三图案化金属层邻接于所述电介质层，所述承载层邻接于所述第三图案化金属层。

9.根据权利要求6所述的半导体衬底，其中所述电介质层包括感光材料。

10.根据权利要求6所述的半导体衬底，其中所述载体层紧密贴合或压合所述电介质层。

11.一种半导体衬底的制造方法，其包含以下步骤：

提供衬底，所述衬底包含：

第一图案化金属层；

第二图案化金属层，其位于所述第一图案化金属层下方；

第一电介质层，所述第一电介质层位于所述第一图案化金属层与所述第二图案化金属层之间并且包括至少一个导通孔，所述至少一个导通孔从所述第一图案化金属层延伸到所述第二图案化金属层，所述第一图案化金属层与所述第二图案化金属层是通过所述至少一个导通孔电连接；

第二电介质层，其邻接于所述第一电介质层且包覆所述第二图案化金属层，并且所述第二电介质层具有多个第一开口以暴露所述第二图案化金属层；以及

在所述第二电介质层上提供载体层，所述载体层具有多个第二开口，所述第二开口的位置与所述第一开口的位置实质上相对应。

12.根据权利要求11所述的半导体衬底的制造方法，其中所述载体层进一步包括第三图案化金属层和承载层，所述第三图案化金属层邻接于所述第二电介质层，所述承载层邻接于所述第三图案化金属层。