[发明专利]集成电路及制造具有包覆非平面晶体管结构的集成电路的方法

权利要求书

1.一种用于制造集成电路的方法，包含：

提供半导体基底；

蚀刻该半导体基底以形成具有侧壁的非平面晶体管结构；

沿着该非平面晶体管结构的所述侧壁沉积牺牲衬垫；

沉积覆盖在该半导体基底上并且邻近该牺牲衬垫的约束材料；

移除至少一部分该牺牲衬垫并且在该非平面晶体管结构的所述侧壁与该约束材料之间形成空隙；以及

在该空隙中外延生长包覆层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中：

提供半导体基底包含提供具有(100)平面与<110>凹口的结晶半导体基底；以及

蚀刻该半导体基底包含蚀刻该半导体基底以形成具有平行于(110)平面的侧壁的该非平面晶体管结构。

3.根据权利要求1所述的方法，还包含在该空隙中外延生长该包覆层后，移除该约束材料。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，在该空隙中外延生长包覆层包含外延生长自所述侧壁横向朝该约束材料的包覆层。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，移除至少一部分该牺牲衬垫并且在该非平面晶体管结构的所述侧壁与该约束材料之间形成空隙包含沿着所述侧壁各者曝露该非平面晶体管结构的一部分，以及在该空隙中外延生长该包覆层包含在该空隙中外延生长直接接触该非平面晶体管结构的该曝露部分的该包覆层。

6.根据权利要求1所述的方法，还包含于蚀刻该半导体基底以形成具有侧壁的非平面晶体管结构前沉积覆盖在该半导体基底上的上包覆层。

7.根据权利要求1所述的方法，还包含在蚀刻该半导体基底以形成具有侧壁的非平面晶体管结构前沉积覆盖在该半导体基底上的上包覆层，其中：

沉积牺牲衬垫包含沿着该上包覆层的侧壁沉积牺牲衬垫；

移除至少一部分该牺牲衬垫包含在该非平面晶体管结构和该上包覆层的所述侧壁与该约束材料之间形成空隙；以及

在该空隙中外延沉积该包覆层包含外延沉积该非平面晶体管结构和该上包覆层的所述侧壁与该约束材料所围住的该包覆层。

8.根据权利要求1所述的方法，还包含：

在蚀刻该半导体基底以形成具有侧壁的非平面晶体管结构前沉积覆盖在该半导体基底上的上包覆层，其中，沉积牺牲衬垫包含沉积覆盖在该上包覆层上的牺牲衬垫；以及

平整化该约束材料以自覆盖在该上包覆层上的该牺牲衬垫之上移除该约束材料，其中，移除至少一部分该牺牲衬垫包含移除覆盖在该上包覆层上的该牺牲衬垫。

9.一种用于制造集成电路的方法，包含：

提供半导体基底；

形成覆盖在该半导体基底上并且具有侧壁的非平面晶体管结构；

形成邻近并且直接接触该非平面晶体管结构的所述侧壁的包覆层同时将该包覆层局限成具有均匀厚度的形状。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，形成邻近所述侧壁的包覆层并且将该包覆层局限成具有均匀厚度的形状包含：

形成邻近所述侧壁而具有与该均匀厚度实质相等的均匀宽度的空隙；以及

以该包覆层填充该空隙。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，形成邻近所述侧壁的包覆层并且将该包覆层局限成具有均匀厚度的形状包含：

沉积覆盖在该半导体基底上并且以实质等于该均匀厚度的均匀距离偏离所述侧壁的约束材料；以及

在所述侧壁与该约束材料之间沉积该包覆层。

12.根据权利要求9所述的方法，其中，形成邻近所述侧壁的包覆层并且将该包覆层局限成具有均匀厚度的形状包含：

沉积覆盖在该半导体基底上的约束材料；

在所述侧壁与该约束材料之间形成空隙，其中，该空隙具有实质等于该均匀厚度的均匀宽度；以及

以该包覆层填充该空隙。

13.根据权利要求9所述的方法，其中，形成邻近所述侧壁的包覆层并且将该包覆层局限成具有均匀厚度的形状包含：

沿着该非平面晶体管结构的所述侧壁沉积牺牲衬垫；以及

移除一部分该牺牲衬垫并且形成邻近该非平面晶体管结构的所述侧壁的空隙，其中，该空隙具有实质等于该均匀厚度的均匀宽度；以及

以该包覆层填充该空隙。